前言

近日，蘇州晶湛半導體有限公司（以下簡稱“晶湛半導體”）宣布完成C+輪數億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數億元融資以來的又一融資進展。本輪增資由尚頎資本及上汽集團戰略直投基金、蔚來資本聯合領投，匯譽投資、新尚資本、聯行資產、合肥建投資本、米哈游、京銘資本等機構跟投，老股東安徽和壯繼續加碼。

晶湛半導體表示，融資所得資金計劃用于產能擴充、進一步加大在新產品和新技術領域的科技創新研發，提升產品多樣性與豐富度。

關于晶湛半導體

晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創辦，坐落于蘇州市工業園區，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商，技術實力處于國際領先地位。

晶湛半導體高度重視自主研發和核心知識產權工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術，擁有完全獨立的自主知識產權。據官方資料顯示，晶湛半導體長期專注于高質量GaN材料的研發和產業化。目前，晶湛半導體已申請專利超過700項、授權近200項。晶湛半導體已新建成規模世界領先的GaN外延材料研發和生產基地。晶湛半導體將一直秉承著“成為世界領先的第三代半導體材料供應商”的愿景，為客戶創造價值。

晶湛半導體融資歷程

在公司發展過程中，晶湛半導體在業內創造過多項第一。2014年底，晶湛半導體就率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，填補了國內氮化鎵產業的空白。2021年9月，晶湛半導體又成功全球首發12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業內廣泛關注。經過多年的專注發展，晶湛半導體已經成為國內GaN材料研發和產業化的領軍企業。

企查查顯示，晶湛半導體共完成8輪融資。資方除蔚來和米哈游加持外，高瓴創投、元禾控股、天合光能、三七互娛、歌爾微電子、創新工場等一眾投資機構和企業也紛紛加碼。縱觀晶湛半導體的融資歷程，真不可謂不優秀。

充電頭網總結

氮化鎵作為第三代半導體中的新興材料，近年來在電力電子和新型顯示等領域的應用已趨于成熟迎來高速增長。晶湛半導體公司致力于為半導體及泛半導體客戶提供優質的材料解決方案，通過與行業龍頭企業、機構合作，推動GaN外延技術在全球各個市場實現業務落地，提升市場占有率和競爭力。晶湛半導體將引領技術發展，持續推動半導體材料的技術進步。

溫馨提示：以上信息僅供參考，不作為入市建議；投資有風險，入市需謹慎。