充電頭網獲悉，英飛凌近期推出EVAL_QDPAK_FB_V2_1全橋評估板，用于評估頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC 第二代750V MOSFET開關表現，并給出一套可復用的高速開關PCB實現范例。

該評估板集成4顆750V G2 SiC MOSFET與配套EiceDRIVER隔離柵極驅動（并提供隔離供電與必要的環路終端/直流母線支持），采用全橋拓撲，并通過優化功率回路來支撐高速開關測試與波形觀測。板上還預留專用電壓探測點，便于快速獲取關鍵電壓波形數據；同時支持開展單脈沖/雙脈沖等電氣實驗，用更直觀的方式觀察SiC器件的開關動態特性。

對研發與方案導入而言，這塊板的價值不只在“測得快”，更在“做得對”，它將頂部散熱封裝的器件放置、回流路徑、驅動與探測點布局等落到可參考的PCB實現上，適合作為新一代寬禁帶器件在車載高壓平臺中的布局與驗證起點。官方同時提供評估板指南、原理圖與PCB布局等全套資源，便于工程團隊快速復現與二次開發。

上述評估板適用于高壓DC-DC變換器、車載充電機、燃料電池電動汽車動力總成系統、電動汽車充電等場景應用。

另外，英飛凌近些年在新能源汽車領域的布局中，可概括為“材料+系統+產能”三線并進。在功率端以SiC為核心，重點覆蓋牽引逆變器、OBC與高壓DC-DC，推出車規模塊，并以隔離柵極驅動、評估板/參考設計完善高速開關導入鏈路。

在控制與管理端，以BMS電芯監測/均衡器件配合AURIX MCU與OPTIREG PMIC，形成從功率到控制的系統級方案。

在供給側推進8英寸SiC工藝與產能建設，提升規模化交付能力。同時通過與車企的平臺合作與長單鎖定項目，并購GaN Systems補齊氮化鎵產品線，以應對更高效率、更高功率密度的市場需求。