在追求極致能效與功率密度的電池管理領(lǐng)域，傳統(tǒng)Si MOS的局限日益凸顯。復(fù)雜的“背靠背”配置、高導(dǎo)通損耗和寄生參數(shù)，已成為系統(tǒng)升級的瓶頸。英諾賽科基于自研VGaN（雙向氮化鎵）開發(fā)的全系列高、低邊BMS解決方案，不僅是簡單的器件替代，更是從拓?fù)浼軜?gòu)到系統(tǒng)生態(tài)的全面革新。

近日，英諾賽科發(fā)布最新高邊同口BMS方案- INNDBMS120HA1，基于VGaN特性和英諾賽科自研驅(qū)動，助力系統(tǒng)創(chuàng)新，為客戶帶來更高安全性、更簡化的系統(tǒng)和更低系統(tǒng)成本的顯著價(jià)值。此次發(fā)布也標(biāo)志著英諾賽科BMS方案矩陣更為完備，靈活滿足從高端儲能到消費(fèi)動力等不同場景的需求。

全新高邊方案，引領(lǐng)安全與集成新標(biāo)準(zhǔn)

INNDBMS120HA1 方案采用自研高壓側(cè)驅(qū)動芯片 INS1012SE 與100V VGaN功率器件 INV100FQ030C。實(shí)現(xiàn)了“拓?fù)鋬?yōu)化”與“系統(tǒng)簡化”的雙重升級。

架構(gòu)革新，安全優(yōu)先

采用高邊同口拓?fù)洌瑢GaN置于電池正極通路。保護(hù)動作時(shí)直接切斷電池正極，提供本質(zhì)安全；同時(shí)確保電池包與系統(tǒng)端始終保持共地，徹底避免保護(hù)觸發(fā)后的通信中斷問題，無需額外隔離電路，降低復(fù)雜性與靜態(tài)功耗。

VGaN內(nèi)核，高效基石

核心器件INV100FQ030C憑借其無體二極管、雙向?qū)ΨQ阻斷的特性，單顆即可替代傳統(tǒng)背靠背雙 Si MOS，3.2mΩ的超低導(dǎo)通內(nèi)阻和4mm×6mm的小封裝，幫助實(shí)現(xiàn)節(jié)省空間、減小發(fā)熱和降低系統(tǒng)成本。

該方案已通過120A持續(xù)放電、1200A以上短路保護(hù)等嚴(yán)苛測試，溫升控制優(yōu)異，印證了氮化鎵技術(shù)在高可靠場景下的強(qiáng)大實(shí)力。

英諾賽科完備的氮化鎵BMS方案矩陣

INNDBMS120HA1并非孤例，它是英諾賽科為滿足多元市場需求而構(gòu)建的完整方案之一。截止目前，英諾賽科已根據(jù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、功率等級和驅(qū)動技術(shù)，推出了多款方案，為工程師提供清晰的選擇路徑。

（更完整的方案信息，可參考英諾賽科官網(wǎng)或聯(lián)系英諾技術(shù)團(tuán)隊(duì)獲取評估）

高邊 or 低邊？您的系統(tǒng)該如何選擇？

面對高邊與低邊兩種主流拓?fù)洌x擇的關(guān)鍵在于理解其系統(tǒng)級差異。

高邊方案（如HA1/HS3/180HS1）：

更高的本質(zhì)安全：保護(hù)時(shí)切斷電池正極

無縫通信：系統(tǒng)共地，無需擔(dān)心保護(hù)觸發(fā)后通信中斷

更高集成度：省去隔離電源和隔離通信電路，降低系統(tǒng)復(fù)雜度和靜態(tài)功耗

適用場景：高端儲能系統(tǒng)、電動汽車、對安全與可靠性要求極高的工業(yè)設(shè)備

低邊方案（如LS4/LS1）：

設(shè)計(jì)簡易與快速上市：驅(qū)動電路更簡單，技術(shù)更成熟

優(yōu)秀的成本控制：通常整體成本更具優(yōu)勢

無縫兼容：極易與市場上主流的低邊架構(gòu)AFE芯片配合，便于在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中升級

適用場景：消費(fèi)級戶外電源、電動工具、兩輪電動車、對成本敏感的大規(guī)模應(yīng)用

英諾賽科：從芯片到生態(tài)的構(gòu)建之路

英諾賽科全系列BMS方案的演進(jìn)，為行業(yè)提供了從器件到完整系統(tǒng)解決方案交付的路徑。除了性能領(lǐng)先的VGaN功率器件，我們還推出專為VGaN優(yōu)化的驅(qū)動IC（INS1012SE / INS1011SD），通過與VGaN深度協(xié)同，全面釋放氮化鎵的潛能，并幫助工程師極大簡化了設(shè)計(jì)工作。

當(dāng)前英諾賽科BMS方案已覆蓋從120A~180A的主流功率段，并通過高邊、低邊拓?fù)涞募?xì)分，滿足不同客戶在系統(tǒng)架構(gòu)、安全等級、應(yīng)用領(lǐng)域和成本上的差異化需求。