充電頭網(wǎng)近日從供應(yīng)鏈獲悉，業(yè)內(nèi)首款基于GaNsystems氮化鎵芯片的PD快充產(chǎn)品誕生，由USB PD快充專業(yè)方案公司研吉電子主導(dǎo)開(kāi)發(fā)。該參考設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出QC3.0 Max 18W (12V/1.5A)；雙口同時(shí)輸出時(shí)，USB-C口降為45W，USB-A口維持 18W。全系列采用雙面板，最簡(jiǎn)化降功率設(shè)計(jì)理念。

研吉65W 1A1C氮化鎵快充方案DEMO正面元器件布局較為密集，輸入端除了共模電感、保險(xiǎn)絲、整流橋之外，還設(shè)有三顆JSH萬(wàn)京源電解電容濾波，單顆規(guī)格400V 33μF。

輸出部分同樣設(shè)有兩顆萬(wàn)京源固態(tài)電容濾波，此外還有一顆Buck-Bost電感，用于雙口輸出時(shí)USB-A口調(diào)壓，兩顆Y電容橫跨在初級(jí)和次級(jí)之間。

變壓器相對(duì)來(lái)說(shuō)體積較小。

PCB板背面初級(jí)和次級(jí)之間有鏤空處理，增加安全距離。

該方案的PWM主控芯片采用了一顆常見(jiàn)的料號(hào)，安森美NCP1342，其內(nèi)置主動(dòng)X2電容放電和多重完善的保護(hù)功能。

安森美 NCP1342 詳細(xì)資料。

該方案的核心器件來(lái)自GaN systems，型號(hào)GS-065-011-1-L，650V耐壓，導(dǎo)阻150mΩ，DFN5x6封裝，支持超高開(kāi)關(guān)頻率，這顆GaN開(kāi)關(guān)管設(shè)計(jì)時(shí)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)要求，所以沒(méi)有采用外置驅(qū)動(dòng)IC。

GaN systems GS-065-011-1-L詳細(xì)規(guī)格。

同步整流控制器采用南芯半導(dǎo)體最新的SC3501。這是一款智能次級(jí)同步整流控制芯片，用于驅(qū)動(dòng)反激變換器中次級(jí)MOSFET。代替肖特基二極管，帶來(lái)更高的效率和更低的溫升。當(dāng)MOSFET的VDS電壓低于導(dǎo)通閾值時(shí)，MOSFET導(dǎo)通，當(dāng)MOSFET的VDS電壓高于關(guān)斷閾值時(shí)，MOSFET關(guān)斷。實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)MOSFET導(dǎo)通壓降，以減小導(dǎo)通損耗。即使反激變換器工作在電流連續(xù)模式時(shí)，極為快速的關(guān)斷延時(shí)可以保證MOSFET的準(zhǔn)確動(dòng)作，可靠性高。

南芯SC3501詳細(xì)規(guī)格資料。

次級(jí)同步整流MOS采用恒泰柯HGN070N12SL，NMOS，耐壓120V，DFN5X6封裝。

恒泰柯HGN070N12SL資料信息。

USB-A接口的升降壓芯片來(lái)自MPS，MP28167，2.8-22V輸入，內(nèi)置開(kāi)關(guān)管，同步升降壓轉(zhuǎn)換器，并且支持I2C接口控制，用于A口升降壓輸出。

MP28167詳細(xì)規(guī)格資料。

USB-A口輸出協(xié)議芯片采用芯卓UC2611，支持QC3.0、QC2.0、FCP等快充協(xié)議。

芯卓UC2611規(guī)格資料。

USB-C口協(xié)議芯片采用耕源CY2332，一顆高性能的協(xié)議IC，支持USB PD3.0/PPS/QC4+快充協(xié)議，其采用DFN3x3-14封裝，節(jié)省面積。

耕源CY2332詳細(xì)規(guī)格資料。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮化鎵PD快充已經(jīng)成為時(shí)下最受歡迎的產(chǎn)品，在2020年上半年，市面上65W氮化鎵充電器更是出現(xiàn)扎堆上市的局面，并取得不錯(cuò)的銷量。結(jié)合手機(jī)、筆電廠商的產(chǎn)品布局來(lái)看，在未來(lái)幾年內(nèi)，65W氮化鎵快充依然是市場(chǎng)的主流。

作為一家專業(yè)研發(fā)USB PD2.0/3.0、QC3.0/4.0充電器、適配器、移動(dòng)電源、車充為主導(dǎo)的方案設(shè)計(jì)公司，研吉擁有一支由行業(yè)內(nèi)從業(yè)多年、有資深經(jīng)驗(yàn)的頂尖RD人員組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。能夠?yàn)榭蛻籼峁┳顚I(yè)的方案和PCBA，為客戶節(jié)省了研發(fā)費(fèi)用，縮短了研發(fā)周期，快速搶占市場(chǎng)。

在氮化鎵快充成為主流之際，研吉憑借在USB PD快充領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，并結(jié)合自身與眾多芯片原廠的深度合作，開(kāi)發(fā)出了業(yè)內(nèi)首款基于GaN Systems氮化鎵芯片的65W 1A1C快充，極大豐富了目前氮化鎵快充方案類型，為客戶提供了具有差異化和競(jìng)爭(zhēng)力的方案。

如需了解研吉更多氮化鎵快充方案，可以與研吉業(yè)務(wù)人員取得聯(lián)系。

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