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        泰高技術4
        泰高技術的氮化鎵射頻開關：強勁應對高功率射頻設計的王牌
        在高功率射頻前端（RFFE）設計領域，長期以來，我們一直選擇PIN二極管技術作為射頻開關的主要方案。這種技術在一定程度上是足夠的，因為頻段數...
        2023-08-02
        采用8x10 QFN低電感封裝，Tagore泰高合封氮化鎵半橋芯片TTHB100NM問世
        前言



氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙復合半導體材料，電壓耐受能力比傳統硅材料高很多，而且不會影響導通電阻性能，因此可以降低導通損耗。...
        2022-06-30
        內置 TP44100SG 合封氮化鎵開關管，泰高技術推出市面首款 240W 氮化鎵 USB PD3.1多口快充電源參靠考設計
        前言



泰高技術在四月推出了一款采用分立器件的PFC+LLC拓撲的210W氮化鎵電源模組方案，這電源模組方案已在知名線上媒體網站獲得上萬...
        2022-04-26
        泰高技術推出210W氮化鎵電源方案，內置TP44200合封氮化鎵器件
        說起氮化鎵功率器件，主流的解決方式就是單管和合封，氮化鎵單管搭配專門優化的控制器，在反激架構的快充中得到了廣泛的應用。但在大功率的電源中，通...
        2022-03-09