前言

能華半導體推出了一系列氮化鎵適配器方案，包括PD快充，電源適配器和LED電源適配器。今天帶來的是一款200W長條形LED電源適配器方案，這款方案支持176-264Vac輸入，輸出電壓為48V，額定輸出功率為200W。

這款200W長條形LED適配器為長條形外觀，無散熱片設計，降低裝配成本。采用能華CE65H160DNGI氮化鎵開關管搭配兩顆CE65E160DNYI氮化鎵開關管，采用PFC+LLC高效諧振架構，轉換效率高達95.6%。下面充電頭網就帶來能華這款LED適配器方案的解析，一起看看這款方案的用料和設計。

能華200W長條形LED電源適配器方案外觀

能華200W LED適配器方案為長條形設計，十分契合傳統LED燈主體造型，基本上客戶無需在對DEMO進行改動，即連即用十分方便。

PCB板正面設有電感、電容等器件，背面則焊接芯片等器件，最大程度降低了DEMO的厚度，如此裝進各類LED燈體都會變得很輕松。

實測PCB板長度約為30.4cm。

寬度為15.97mm。

最大厚度為16.59mm。

能華200W長條形LED電源適配器DEMO拿在手上的大小直觀感受。

另外測得DEMO重量約為104g。

能華200W長條形LED電源適配器方案解析

輸入端保險絲規格為3.15A250V。

共模電感采用漆包線繞制。

安規X2電容來自科雅電子，規格為0.47μF。

共模電感采用磁環繞制。

一顆薄膜電容來自科雅電子，規格為0.68μF450V。

在薄膜電容下方設有四顆整流二極管，型號S5M。

濾波電感采用磁環繞制，纏繞膠帶絕緣。

另一顆薄膜電容規格為1μF450V。

適配器內部初級PWM主控芯片采用NXP恩智浦TEA2016AAT，一顆芯片內置LLC控制器和PFC控制器，內置數字架構控制，簡化了設計的同時減少外圍元件數量，芯片內置多重完善的保護功能，集成度非常高。

為主控芯片供電的濾波電容規格為47μF35V。

PFC開關管來自能華半導體，型號CE65H160DNGI，這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態耐壓800V，導通內阻160mΩ。器件具有極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統能效。

CE65H160DNGI的柵極驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統可靠性，兼容傳統硅MOS驅動器，簡化電路設計，采用DFN8*8封裝。

能華半導體 CE65H160DNGI 資料信息。

PFC升壓電感采用膠帶嚴密纏繞絕緣。

PFC整流管絲印NEU6 M23。

高壓濾波電容來自豐賓，規格為82μF450V。

絲印S3M的二極管用于PFC旁路。

用于LLC半橋的兩顆氮化鎵開關管來自能華半導體，型號CE65H160DNCI，這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態耐壓800V，導通內阻160mΩ。器件具有極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統能效。

CE65H160DNCI的柵極驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統可靠性，兼容傳統硅MOS驅動器，簡化電路設計，采用DFN5*6封裝。

能華半導體 CE65H160DNCI 資料信息。

諧振電容來自科雅電子，規格為0.022μF1000V。

諧振電感采用膠帶纏繞絕緣。

LLC變壓器特寫，輸出帶有輔助導阻為同步整流控制器供電。

兩顆貼片Y電容來自特銳祥，料號為TMY1102M。

UMW友臺半導體EL1018光耦用于輸出電壓反饋。

同步整流控制器來自恩智浦，型號TEA2096，支持4.5-38V供電電壓，具備自適應柵極驅動，支持LLC諧振同步整流，并具備欠壓鎖定，支持1MHz開關頻率。

兩顆同步整流管來自力宏微，型號LH085N150，NMOS，耐壓150V，導阻8.5mΩ，采用DFN5*6封裝。

輸出濾波電容來自永立，規格為220μF63V。

直流輸出端設有濾波電感。

充電頭網總結

充電頭網通過解析發現，能華半導體200W長條形LED電源適配器方案采用細長型設計，內部采用氮化鎵器件，提高轉換效率，其峰值效率達95.6%，實現了無散熱片的LED電源設計，降低整體成本。

電源適配器采用PFC+LLC+SR高效架構，使用恩智浦TEA2016控制器搭配TEA2096同步整流控制器，PFC開關管采用CE65H160DNGI，LLC開關管采用CE65H160DNCI，有效降低開關損耗，提升轉換效率。

能華半導體是一家專業設計、生產和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業。能華半導體是全球少數同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術和耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。目前產品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。