前言

2024年4月8日，斯達(dá)半導(dǎo)（股票代碼：603290）公布了《2023年年度報(bào)告》。報(bào)告顯示，公司2023年實(shí)現(xiàn)總營(yíng)收36.63億元，同比增長(zhǎng)35.39%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)9.12億元，同比增長(zhǎng)11.36%；基本每股收益5.33元/股。

歷年?duì)I收及凈利潤(rùn)

根據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2019-2023年，斯達(dá)半導(dǎo)營(yíng)業(yè)收入分別為7.79億元、9.63億元、17.07億元、27.05億元和36.63億元，同比增長(zhǎng)分別為15.41%、23.55%、77.22%、58.53%和35.39%。

2019—2023年，斯達(dá)半導(dǎo)凈利潤(rùn)分別為1.35億元、1.81億元、3.98億元、8.18億元和9.11億元，同比增長(zhǎng)39.83%、33.56%、120.49%、105.24%和11.36%。

公司主營(yíng)業(yè)務(wù)是以 IGBT 和 SiC 為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。公司長(zhǎng)期致力于 IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET 等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及 IGBT、SiC MOSFET等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。

分產(chǎn)品來(lái)看，2023年斯達(dá)半導(dǎo)IGBT模塊產(chǎn)品營(yíng)業(yè)收入33.31億元，占公司主營(yíng)業(yè)收入的91.45%；其他產(chǎn)品營(yíng)業(yè)收入3.07億元，占公司主營(yíng)業(yè)收入的8.45%。

報(bào)告期內(nèi)，斯達(dá)半導(dǎo)不同地區(qū)營(yíng)收情況如上圖所示。2023年公司亞洲地區(qū)營(yíng)業(yè)收入34.09億元，占主營(yíng)收的比例為93.69%；其他地區(qū)營(yíng)業(yè)收入2.29億元，占主營(yíng)收的比例為6.31%。

前五大客戶及供應(yīng)商

前五名客戶銷售額 132,791.92 萬(wàn)元，占年度銷售總額 36.25%；前五名供應(yīng)商采購(gòu)額 169,444.55 萬(wàn)元，占年度采購(gòu)總額 59.69%。

歷年研發(fā)投入

2019-2023年公司研發(fā)投入分別為0.54億元，0.77億元，1.10億元，1.89億元，2.87億元；2020-2023年同比分別變動(dòng)42.73%，42.95%，71.45%，52.17%。

總市值情況

2020年2月4日，斯達(dá)半導(dǎo)在上海證券交易所上市，其股票代碼為603290。

斯達(dá)半導(dǎo)市值從上市至今，2021年11月232日，斯達(dá)半導(dǎo)市值達(dá)到最高827.32億元；2020年2月4日，斯達(dá)半導(dǎo)市值最低，為29.36億元。截至2024年4月30日，斯達(dá)半導(dǎo)總市值為238.30億元。

盈利能力分析

2019-2023年公司銷售毛利率分別為30.61%，31.56%，36.73%，40.30%，37.51%。2023年公司毛利率同比下降6.92%，公司盈利能力有所削弱。

運(yùn)營(yíng)能力分析

2019-2023年公司存貨周轉(zhuǎn)率分別為3.16次，2.91次，3.31次，2.94次，2.33次。2023年公司存貨周轉(zhuǎn)次數(shù)同比有所下降，公司存貨周轉(zhuǎn)速度同比下降。

償債能力分析

2019-2023年公司資產(chǎn)負(fù)債率分別為35.34%，18.81%，9.51%，19.45%，23.44%。2023年公司資產(chǎn)負(fù)債率同比增長(zhǎng)20.51%，公司償債能力穩(wěn)定。

核心競(jìng)爭(zhēng)力

1、技術(shù)優(yōu)勢(shì)：公司自成立以來(lái)一直以技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品質(zhì)量為公司之根本，并以開發(fā)新產(chǎn)品、新技術(shù)為公司的主要工作，持續(xù)大幅度地增加研發(fā)投入，培養(yǎng)、組建了一支高素質(zhì)的國(guó)際型研發(fā)隊(duì)伍，涵蓋了IGBT芯片、快恢復(fù)二極管芯片和IGBT模塊的設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)、產(chǎn)品測(cè)試、產(chǎn)品應(yīng)用等，在半導(dǎo)體技術(shù)、電力電子、控制、材料、力學(xué)、熱學(xué)、結(jié)構(gòu)等多學(xué)科具備了深厚的技術(shù)積累。

2、人才優(yōu)勢(shì)：公司創(chuàng)始人為半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)專家，具備豐富的知識(shí)、技術(shù)儲(chǔ)備及行業(yè)經(jīng)驗(yàn)；公司擁有多名具有國(guó)內(nèi)外一流研發(fā)水平的技術(shù)人員，多人具備在國(guó)際著名功率半導(dǎo)體公司承擔(dān)研發(fā)工作的經(jīng)歷；公司的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)穩(wěn)定，大多數(shù)人在本公司擁有十年以上的工作經(jīng)驗(yàn)。

3、較強(qiáng)的市場(chǎng)開拓能力：公司堅(jiān)定以“研發(fā)推動(dòng)市場(chǎng)，市場(chǎng)反饋研發(fā)”的發(fā)展思路，形成研發(fā)與銷售之間的閉環(huán)。該種良性循環(huán)使公司實(shí)現(xiàn)了一定技術(shù)積累的同時(shí)，具備了較強(qiáng)的市場(chǎng)開拓能力，實(shí)現(xiàn)了銷售的快速增長(zhǎng)。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

公司將完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，在大力推廣IGBT模塊的同時(shí)，依靠自身的專業(yè)技術(shù)，研發(fā)其他前沿功率半導(dǎo)體器件，不斷豐富自身產(chǎn)品種類，并堅(jiān)定不移的努力將公司發(fā)展成為世界頂尖的功率半導(dǎo)體制造企業(yè)。未來(lái)，公司將圍繞公司的發(fā)展戰(zhàn)略和方向，積極應(yīng)對(duì)國(guó)際環(huán)境及競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境變化，立足現(xiàn)有基礎(chǔ)和優(yōu)勢(shì)，繼續(xù)扎根IGBT為代表的功率半導(dǎo)體行業(yè)，持續(xù)加大技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)投入，深耕現(xiàn)有市場(chǎng)，不斷開拓新市場(chǎng)，持續(xù)提高市場(chǎng)占有率，積極推動(dòng)公司穩(wěn)定持續(xù)發(fā)展。

溫馨提示：以上信息僅供參考，不作為入市建議；投資有風(fēng)險(xiǎn)，入市需謹(jǐn)慎。