前言

能華半導體推出了一款高功率密度的PD3.1氮化鎵快充電源方案，這款電源方案支持90-264Vac輸入，支持28V5A輸出，最大輸出功率為140W。充電器采用PFC+AHB架構，支持寬電壓輸出應用，滿足單口PD3.1快充應用。

這款氮化鎵快充電源方案采用杰華特JW1571+JW1556初級電源芯片，搭配使用能華半導體CE65H110DNDI和兩顆CE65H270TOEI氮化鎵開關管，最高轉換效率達95.82%，下面充電頭網就帶來能華這款氮化鎵快充方案的解析，一起看看方案的用料和設計。

能華140W PFC+AHB氮化鎵快充方案外觀

能華140W氮化鎵快充DEMO，輸入端設計有PCB小板，焊接保險絲以及EMI濾波電路的相關器件，如此設計可提升空間利用率，提高DEMO的整體功率密度。

主板中心區域PFC升壓電感、高壓濾波電解電容以及變壓器等器件布局緊湊，輸出端并未配置輸出小板，但預留了位置，可以方便客戶靈活選擇輸出方案和進行測試。

PCB板背面一覽，初次級間還做了鏤空處理，方便加裝絕緣板。

實測PCB主板長度為65.16mm。

寬度為69.01mm。

厚度為24.24mm。

DEMO拿在手上的大小直觀感受。

另外測得DEMO重量約為122g。

能華140W PFC+AHB氮化鎵快充方案解析

PCBA模塊正面一覽，右側上方焊接一塊小板，在小板上焊接保險絲，安規X2電容和共模電感燈元件。在左上方焊接薄膜濾波電容，濾波電感，PFC升壓電感。中間位置焊接高壓濾波電容，諧振電容和變壓器，右下角焊接輸出濾波電容，左側預留協議小板位置。

PCBA模塊背面焊接PFC控制器，PFC開關管，PFC整流管，AHB控制器，半橋驅動器，氮化鎵開關管。次級側焊接同步整流控制器和兩顆同步整流管，初次級之間焊接兩顆反饋光耦和兩顆貼片Y電容。

輸入端保險絲來自貝特電子，出料號936，規格為3.15A250V。

安規X2電容規格為0.1μF。

共模電感采用漆包線和絕緣線繞制，底部焊接絕緣支架。

焊接取下側面焊接的小板。

安規X2電容來自東莞成希，規格為0.68μF。

共模電感采用磁環繞制。

在小板背面焊接兩顆整流橋。

整流橋來自深圳市沃爾德實業有限公司，型號WRLSB80M，這顆軟橋通過較軟的恢復曲線，比較平滑的關斷特性，可以降低二極管結電容達到非常少的諧波振蕩產生的效果。選用的LSB封裝，擁有良好的散熱特性，幫助中大瓦數適配器提升可靠性，單顆可做60W+。

沃爾德 WRLSB80M 資料信息。

薄膜濾波電容來自東莞成希，規格為1μF450V。

磁環濾波電感特寫。

另一顆薄膜濾波電容同樣為1μF450V。

PFC控制器來自杰華特，型號JW1572，是一款升壓式PFC控制器，具備高精度恒壓輸出，適用于單級功率因數校正。芯片采用恒定導通時間控制，確保高功率因數，無需輸入電壓檢測電路，簡化了系統設計并降低損耗。

芯片采用臨界導通模式運行，降低開關損耗，提升EMI性能以及效率。芯片具備完善的保護功能，具備反饋開路保護，電流取樣電阻短路保護，逐周期過流保護，反饋過電壓保護以及過熱保護等保護功能，適用于USB PD快充，液晶電視以及顯示器應用。

杰華特 JW1572 資料信息。

PFC開關管來自能華半導體，型號CE65H110DNDI，這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態耐壓800V，導通內阻110mΩ。器件具有極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統能效。

CE65H110DNDI的柵極驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統可靠性，兼容傳統硅MOS驅動器，簡化電路設計，采用DFN8*8封裝。

能華半導體 CE65H110DNDI 資料信息。

80mΩ電阻取樣電阻用于檢測開關管電流。

PFC升壓電感采用膠帶嚴密纏繞絕緣。

PFC整流管來自PY平偉，型號PBMUR5JE，是一顆超快恢復二極管，5A 600V，具有低正向壓降，高浪涌電流能力，采用PS-277B封裝。

NTC熱敏電阻型號5D-11，用于抑制上電的浪涌電流。

S3MB二極管用于PFC旁路。

四顆高壓濾波電容特寫。

高壓濾波電容來自永銘，規格為27μF450V，總容量為108μF。

AHB控制器來自杰華特，型號JW1556，是一款非對稱半橋反激式控制器，采用 QFN 4x4-20封裝，適用于離線反激式轉換器應用。芯片內部集成供電升壓轉換器，輸入電壓范圍 2.5-38V，最高工作頻率達1.5MHz，支持65-300W快充應用。

杰華特JW1556在重負載下工作在ZVS模式，支持Adaptive ZVS開關，實現效率最優化。在輕負載下工作在DCM模式，可提供主電源開關和輔助開關兩路輸出控制，支持高壓啟動、X電容放電、突發模式控制、可調線路補償等功能。

杰華特 JW1556 資料信息。

半橋驅動器來自納芯微，型號NSD1624D，是一顆高壓半橋驅動芯片，耐壓600V，支持TTL和CMOS邏輯信號輸入，滿足半橋，全橋以及LLC應用。

為主控芯片供電的濾波電容規格為47μF50V。

用于AHB半橋的氮化鎵開關管來自能華半導體，型號CE65H270TOEI，這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態耐壓800V，導通內阻270mΩ。器件具有極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統能效。

CE65H270TOEI的柵極驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統可靠性，兼容傳統硅MOS驅動器，簡化電路設計，采用TO252封裝。

能華半導體 CE65H270TOEI 資料信息。

諧振電容來自廈門法拉電子，規格為0.33μF450V。

變壓器磁芯采用膠帶嚴密纏繞絕緣。

貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應用于氮化鎵快充這類高密度電源產品中。料號為TMY1102M。

奧倫德OR1009光耦用于PFC開關控制。

奧倫德OR1009光耦用于輸出電壓反饋。

同步整流控制器來自杰華特，型號JW7726BL，是一顆支持ACF，DCM，CCM，QR，AHB等拓撲的同步整流控制器，支持高側和低側應用。相比傳統的肖特基二極管，能夠顯著提高效率。JW7726BL由輸出電壓直接供電，具備快速驅動能力，用于CCM運行模式，采用SOT23-6封裝。

杰華特 JW7726BL 資料信息。

同步整流管來自華潤微，絲印105N15NS，采用兩顆并聯。

兩顆輸出濾波電容來自綠寶石，為BD系列高壓固態電容，規格為680μF35V。

充電頭網總結

能華半導體140W氮化鎵快充電源方案為完整的全套解決方案，搭配協議芯片小板即可組成完整的充電器。電源方案采用PFC+AHB架構，支持寬電壓輸出，滿足單口快充應用。該方案最高轉換效率高達95.82%，大幅降低散熱需求。

電源方案使用杰華特JW1571 PFC控制器+JW1556 AHB控制器+JW7726BL同步整流控制器，PFC開關管使用能華半導體CE65H110DNDI，AHB半橋開關管使用兩顆CE65H270TOEI。能華半導體耗盡型氮化鎵開關管可以兼容傳統硅器件的驅動器，具備良好的兼容性，滿足不同功率段的開關電源使用。

能華半導體是一家專業設計、生產和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業。能華半導體是全球少數同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術和耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。目前產品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。