前言

能華半導體推出了一款45W LED驅動電源參考設計，這款電源為單級高PF值反激設計，并且為原邊反饋，無需光耦和輸出電流檢測電路，在初級完成恒壓控制，電路精簡，簡化設計并降低成本。

這款LED電源采用能華半導體CE65H600TOEI耗盡型氮化鎵開關管，采用TO252封裝。器件額定耐壓為650V，峰值耐壓800V。電源支持176-264Vac輸入，輸出為54V0.9A，轉換效率為90.5%。下面就帶來能華半導體這款LED驅動電源方案的解析，一起看看設計和用料。

能華45W高PF氮化鎵LED驅動電源參考設計方案外觀

能華45W高PF氮化鎵LED驅動電源DEMO采用了扁平化超薄設計，兼容了LED櫥柜燈產品的超薄設計要求，氮化鎵AC-DC部分非常緊湊，空白的PCB部分可以為后面DC-DC去頻閃電路和DALI智能調光電路預留充足的空間，DEMO整體厚度控制得很出色。

DEMO器件采用單面布局。

實測PCB板長度為177.46mm。

寬度為38.07mm。

厚度為15.92mm。

DEMO拿在手上的大小直觀感受。

另外測得DEMO重量約為50g。

能華45W高PF氮化鎵LED驅動電源參考設計方案解析

輸入端保險絲規(guī)格為3.15A250V。

NTC熱敏電阻用于抑制上電浪涌電流。

10D561K壓敏電阻用于過電壓保護。

共模電感采用磁環(huán)繞制。

安規(guī)X2電容來自緯迪，容量為0.1μF。

第二顆共模電感采用扁銅線繞制。

整流橋來自佑風微，型號FMB40M，規(guī)格為4A1000V。

兩顆薄膜濾波電容特寫。

薄膜濾波電容規(guī)格為0.47μF400V。

濾波電感采用磁環(huán)繞制。

10D561K壓敏電阻用于過電壓保護。

電源主控芯片采用昂寶OB6566，是一顆PFC控制器，無需輔助線圈，支持逐周期電流限制，支持高精度可調節(jié)輸出過電壓保護等多種保護模式，支持無音頻噪聲運行。

為主控芯片供電的濾波電容規(guī)格為10μF50V。

初級開關管采用能華CE65H600TOEI氮化鎵器件，這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態(tài)耐壓800V，導通內阻600mΩ，極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統(tǒng)能效。

另外其驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統(tǒng)可靠性，并且和傳統(tǒng)的Si MOSFET驅動兼容；這顆器件采用TO252封裝，成本低，熱容大而且熱阻小，這種封裝可以拓展器件的功率應用范圍，有很強的散熱能力和耐熱沖擊能力，使系統(tǒng)具有更高的熱可靠性。

能華半導體 CE65H600TOEI 資料信息。

變壓器采用膠帶嚴密纏繞絕緣。

兩顆藍色Y電容特寫。

兩顆整流管來自旭昌輝，型號SP10300L，肖特基二極管，規(guī)格為10A300V，采用TO-277B封裝。

輸出濾波電容來自永銘，為LKM系列長壽命電容，規(guī)格為220μF63V。

充電頭網(wǎng)總結

能華半導體推出的45W氮化鎵LED驅動電源參考設計為單級高PF值反激設計，原邊反饋，無需高壓濾波電容，反饋光耦，輸出電流檢測電阻以及恒流控制電路。恒壓控制在初級完成，電路精簡，簡化設計并提高轉換效率。

這款LED電源采用能華半導體CE65H600TOEI耗盡型氮化鎵開關管，采用TO252封裝。器件額定耐壓為650V，峰值耐壓800V。采用昂寶OB6566控制器，輸出采用肖特基二極管整流，電解電容濾波。通過引入氮化鎵器件到LED電源，顯著提升了轉換效率，降低了散熱需求，縮小體積并降低成本，對環(huán)境更加友好。

能華半導體是一家專業(yè)設計、生產和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業(yè)。能華半導體是全球少數(shù)同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術和耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。目前產品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。