前言
現如今，氮化鎵已被廣泛應用在充電器產品中，大幅提升了我們日常的充電體驗。其高頻、高效的特性有效降低了充電器的體積。氮化鎵開關管相較于傳統硅MOS管有更低的導阻，更快的開關速度，可以有效降低發熱，提升整機效率。
氮化鎵主要分為高壓和低壓兩種，高壓氮化鎵主要應用在市電供電的開關電源初級，而低壓氮化鎵，主要應用于主要用于充電器、移動電源、車充的同步升降壓以及同步整流場景。
最近充電頭網發現，有來自安克、首諾信兩家廠商的三款設備采用了英諾賽科的低壓氮化鎵開關管。
排名不分先后，按品牌首字母排序。
英諾賽科低壓氮化鎵開關管
英諾賽科作為全球領先的氮化鎵芯片研發以及制造企業，先后推出了INN040FQ015A、INN040FQ043A、INN040W048A等多款芯片，滿足廠商不同的低壓場景需求。
英諾賽科低壓氮化鎵開關管部分型號如表格所示。
英諾賽科INN040FQ043A
英諾賽科氮化鎵開關管INN040FQ043A，是一顆耐壓40V的增強型氮化鎵開關管，導阻為4.3mΩ。
這款氮化鎵開關管具有極低的柵極電荷和導通電阻，并具有非常小的封裝面積，適用于高頻DC-DC轉換器，負載點，RF包絡跟蹤，筆記本電腦充電器，移動電源和電機驅動，采用FCQFN 3*4mm封裝。
英諾賽科 INN040FQ043A 資料信息。
應用案例
首諾信65W氮化鎵車充
首諾信這款車充具備1A1C接口，USB-C口支持65W快充輸出，USB-A口支持18W快充輸出，滿足筆記本和手機快充需求。這款車充采用鋁合金外殼，具有不錯的散熱性能，小體積大功率。
首諾信這款車充整體采用黑色霧面設計，外殼為金屬材質，整體十分小巧。機身輸入端帽蓋和主體外殼間有塑料環隔離絕緣。頂面配備1A1C雙輸出接口，膠芯分別為橘黃色和黑色撞色設計。
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英諾賽科INN040W048A
INN040W048A為英諾賽科40V低壓VGaN芯片，該芯片支持雙向導通，具備超高開關速度、導通電阻極低、無反向恢復等特性。在手機中應用可以讓其內部空間得到高效利用，還能降低手機在充電過程中的溫升，在快速充電時保持比較舒適的機身溫度，延長電池使用壽命。
英諾賽科INN040W048A的詳細資料如上圖所示。
應用案例
摩托羅拉Edge 40
該手機搭載全新的6納米工藝聯發科天璣8020芯片，不僅擁有出色的性能表現，還能有效降低功耗和發熱。配備了8GB LPDDR4X 內存和256GB的UFS 3.1存儲空間，內置 4400mAh 的電池，能夠滿足用戶對于大內存、大存儲以及長續航的需求。同時，在屏幕刷新率和拍攝功能上也有顯著提升。
摩托羅拉Edge 40手機內部采用的英諾賽科 VGaN 雙向導通氮化鎵芯片（40V/4.8mΩ），其具備無體二極管、低導通阻抗等特性。
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OPPO Reno7pro
OPPO 聯合英諾賽科創新性地將氮化鎵導入手機主板，成功將 V-GaN INN040W048A 導入 OPPO Reno7pro 等一系列手機。
英諾賽科 V-GaN 產品具備無體二極管、低導通阻抗等特性，僅用一顆氮化鎵芯片就能代替兩顆硅MOSFET，節省了手機PCBA空間，低導通阻抗的特性大大降低手機溫度，為用戶提供了更高效的快充體驗。
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Oppo Reno10
OPPO推出的Reno第十代里程碑之作——OPPO Reno10 系列，該系列可謂在外觀、色彩、人像、續航等多方面都下了很多心思。尤其是后者，在帶來輕薄設計的同時，還實現了性能上的新突破。
OPPO Reno10 系列包含了 Reno10，Reno10 pro 和 Reno10 pro+ 三款新機型，機身外觀設計從金絲琉璃升級到金絲流紗工藝，手感表現更好。該系列全系產品均內置了英諾賽科新型低壓氮化鎵 VGaN，以此替代傳統手機內部的兩顆背靠背SiMOS，實現更低導通損耗的手機電池充、放電功能，并節省手機內部空間。這也成為 Reno10 系列實現輕薄的重要方式之一。
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一加Ace2
一加Ace 2，搭載滿血版驍龍8+處理器，16GB大內存， SUPERVOOC S 電源管理芯片，以及全鏈路氮化鎵快充，將速度、性能與美感完美融為一體，成為性能手機新標桿。
這款手機待在SUPERVOOC S全鏈路電源管理芯片，能夠直接驅動其電源主板上的雙向導通氮化鎵芯片，以此取代以往三條鏈路驅動，實現全鏈路GaN快充，讓手機續航更久，放電效率更高，充電體驗更好。
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真我11pro+
真我11系列以影像為全新越級點，推出2億單鏡變焦相機，同時在外觀構造、屏幕設計、充電續航等方面也進行了全面升級，而最低售價僅1999元，成為同價位段當之無愧的質價比之王。
真我11 Pro+實現了從適配器到手機端全鏈路氮化鎵，手機內置40V氮化鎵芯片（英諾賽科VGaN），僅用一顆就能替代原本兩顆背靠背的Si MOS ，充電更快的同時體積更小，散熱更快，也是目前這個價位段首個全鏈路GaN百瓦閃充。
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真我GT2大師探索版
真我GT2大師探索版搭載第一代驍龍8+旗艦芯片，搭配真我首發LPDDR5X閃存芯片和新一代 X7 獨顯芯片，帶來集設計、性能、游戲、體驗等全方位的升級，堪稱“年度質感旗艦”。
這款新機是行業首個輕薄的百瓦大電池手機。在8.17mm極致輕薄的機身下配置100W光速秒充和5000毫安大電池，使得快充、輕薄和長續航三者兼備，25分鐘時間即可充電至100%，徹底緩解續航焦慮。realme此次在手機中引入的氮化鎵為英諾賽科的VGaN產品。
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英諾賽科INN150LA070A
英諾賽科INN150LA070A，是一顆耐壓150V，導阻7mΩ的增強型氮化鎵單管。
這款開關管具有非常低的柵極電荷和超低的導通阻抗，可有效減小驅動損耗和導通損耗，加之其超小的封裝，適合應用于AC-DC的同步整流，D類功放，高頻DC-DC轉換器，通信基站和馬達驅動。
INN150LA070A采用倒裝FCLGA3.2*2.2封裝，die與焊盤具有更大的接觸面積，更低的熱阻，有效降低溫升，顯著提升散熱性能。
應用案例
安克65W全氮化鎵充電器
安克這款GaNPrime 65W全氮化鎵充電器，應用了行業首創的全氮化鎵多口快充技術，均支持PowerIQ 4.0技術，全時功率分配技術可以實時自動分配多口同時使用的輸出功率，讓充電更快更智能。
Anker全氮化鎵系列充電器采用相同的設計風格，主體黑色外殼并啞光處理，輸出端設有銀色裝飾板。
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安克65W全氮化鎵快充插座
這款快充插座具備兩個新國標五孔AC插座，滿足大功率設備使用。并具備2C1A三個輸出接口，兩個USB-C接口支持65W快充輸出，并支持功率盲插。自帶的線纜可以通過外殼覆蓋的橡膠進行收納，方便又美觀。下面就帶來這款全氮化鎵插座的拆解，看看內部做工如何。
安克這款快充插座通體白色機身圓潤，自帶電源線看上去似乎“很短”，實則設計暗藏玄機，下面再細說。插頭可插在機身的插孔里，整體便顯得十分整潔小巧，讓插座外帶遠行不再是想象。
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充電頭網總結
英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與制造的高新技術企業，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產線。 公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成，我們相信GaN可以改變世界，我們的目標是以更低的價格，向客戶提供品質一流、可靠性優異的GaN器件，并且實現GaN技術在市場的廣泛應用。
如今氮化鎵器件在快充中已獲得廣泛的使用，其他領域的產品，如電吹風、手機、電腦主板等電子設備中的硅器件也逐步被氮化鎵器件所取代。英諾賽科作為深耕低壓氮化鎵器件的廠商，旗下產品現已進入安克、OPPO、一加、摩托羅拉、首諾信等多家廠商的供應鏈，飽經市場檢驗，產品質量有目共睹。相信未來會有更多廠商選擇搭載英諾賽科的低壓氮化鎵產品來取代傳統硅器件。
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