前言
隨著快充技術(shù)的發(fā)展，手機(jī)充電器從以往的5W一路進(jìn)化升級到PD 140W甚至更高的功率，在充電器功率不斷提升的同時，對其內(nèi)部的開關(guān)管、整流管性能的要求也愈發(fā)苛刻。威兆半導(dǎo)體作為少數(shù)具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET / IGBT單管和模塊，以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計能力的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計公司，能根據(jù)廠商需求提供各種高性能、高效率的的器件。
本篇文章匯總了威兆半導(dǎo)體MOS管在百瓦及百瓦以上充電器的實際應(yīng)用案例，詳見下文。
威兆半導(dǎo)體VS3698AE
威兆半導(dǎo)體VS3698AE，是一款NMOS，耐壓30V，導(dǎo)阻3mΩ，采用PDFN3333封裝。
威兆半導(dǎo)體VS3698AE詳細(xì)資料如上圖所示。
應(yīng)用案例：
2、拆解報告：Aohi MAGCUBE 140W 2C1A氮化鎵充電器
威兆半導(dǎo)體VSP003N10HS-G
威兆半導(dǎo)體VSP003N10HS-G，NMOS，支持10V邏輯電壓驅(qū)動，耐壓100V，導(dǎo)阻3.8mΩ，采用PDFN5*6封裝。
威兆半導(dǎo)體VSP003N10HS-G詳細(xì)資料如上圖所示。
應(yīng)用案例：
威兆半導(dǎo)體VSP004N10MS-G
威兆半導(dǎo)體VSP004N10MS-G，是一顆耐壓100V的NMOS，導(dǎo)阻為3.8mΩ，采用PDFN5060X封裝。
威兆半導(dǎo)體VSP004N10MS-G詳細(xì)資料如上圖所示。
應(yīng)用案例：
1、拆解報告：Huntkey航嘉100W氮化鎵充吧高能系列W100
威兆半導(dǎo)體VSP008N10MSC
威兆半導(dǎo)體VSP008N10MSC，這是一顆耐壓100V，導(dǎo)阻6mΩ的NMOS，采用PDFN5*6封裝。
威兆半導(dǎo)體VSP008N10MSC詳細(xì)資料如上圖所示。
應(yīng)用案例：
1、拆解報告：Aohi MAGCUBE 140W 2C1A氮化鎵充電器
充電頭網(wǎng)總結(jié)
深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司成立于2012年，自成立以來，威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究，憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET / IGBT單管和模塊，以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計能力的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計公司。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于PC/服務(wù)器、消費電子、通訊電源、工業(yè)控制、汽車電子及新能源產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。 威兆半導(dǎo)體將堅定不移地持續(xù)提升研發(fā)技術(shù)、供應(yīng)鏈整合、品質(zhì)管控、技術(shù)行銷等半導(dǎo)體設(shè)計公司四大綜合能力，堅持以卓越的質(zhì)量和持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新為客戶創(chuàng)造價值，打造一流功率半導(dǎo)體價值運營體系，服務(wù)全球一流價值客戶。
威兆半導(dǎo)體在MOS領(lǐng)域深耕多年，旗下器件的種類多樣，覆蓋全面。在上文匯總中提到的4款MOS管效率極高、性能強悍，可以輕松滿足廠商百瓦以上的快充輸出需求，現(xiàn)如今已將斬獲奧海、航嘉、小米、摩托羅拉等廠商的大量訂單，產(chǎn)品質(zhì)量飽經(jīng)市場檢驗。
相關(guān)閱讀
2、自研功率器件，威兆MOS獲市場高度認(rèn)可，已被200余款產(chǎn)品采用
3、威兆VS3698AE大量出貨，獲iQOO120W超快閃充采用
http://www.xtzz.cc/
粵公網(wǎng)安備44030002009313號