前言

隨著快充的飛速發展,快充內置的同步整流模塊需求也逐漸提升,同步整流管的要求也越來越嚴格。威兆半導體作為一家專業從事MOSFET等分立器件系列的設計及半導體微電子相關產品研發的高科技企業,擁有創新,穩定,高效率,低成本的整體解決方案,同時經過長期的努力已經成為少數同時具備低壓、中壓、高壓全部系列大功率POWER MOSFET分立器件,以及特殊半導體制程設計能力的先進IC設計公司。

威兆應用案例

本次充電頭網匯總了近幾年的產品拆解中,涉及到威兆同步整流管家族中的產品應用案例,通過整合發現,威兆的同步整流管方案十分受歡迎,給充電器帶來了許多的潛在好處。

低壓同步整流管

VSP009N10MS

威兆VSP009N10MS常用于同步整流的MOS管,耐壓為110V的NMOS,采用PDFN5X6封裝,使用5V邏輯電平控制。

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VS2508AE

威兆VS2508AE常見放置于VBUS開關管位置,采用PDFN3333封裝,耐壓為20V的PMOS,導阻值為7.3mΩ。

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VS2522AA2

威兆VS2522AA2的是耐壓為20V的PMOS管,21mΩ導阻,在實際應用中,使用兩顆威兆VS2522AA2對向串聯,可以防止電流倒灌。

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VS3506AE

威兆VS3506AE用于輸出VBUS開關管,采用PDFN3333封裝,6mΩ導阻,耐壓30V的PMOS。

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VS3508AE

威兆VS3508AE常用于USB-C接口輸出的VBUS開關,采用PDFN3333封裝,8.5mΩ導阻,耐壓30V的PMOS。

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VS3508AS

威兆VS3508AS用于輸出VBUS開關管和輸出電流采樣電阻,P-MOS,耐壓30V,使用5V邏輯電平控制,SOP8封裝規格。

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VS3509AE

威兆VS3509AE用途是輸出VBUS開關,PMOS,耐壓30V,8mΩ導阻,采用PDFN3333封裝。

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VS3510AE

威兆VS3510AE用于輸入保護,PMOS,耐壓30V,導阻10mΩ,采用PDFN3333封裝。

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VS3518AE

威兆VS3518AE為USB-C口輸出的VBUS開關,采用PDFN3333封裝規格,耐壓30V的PMOS,導阻15mΩ。

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VS3522AA

威兆 VS3522AA PMOS,耐壓30V,使用5V邏輯電平控制,采用DFN2x2x0.75-6L封裝規格,常用于DC插孔輸入切換。

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VS3522AE

威兆VS3522AE常用于輸出開關管,PMOS,耐壓30V,使用5V邏輯電平控制,導阻為22mΩ,采用PDFN3333封裝規格。

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VS3610AE

威兆VS3610AE為VBUS開關管,NMOS,耐壓30V,PDFN3333封裝,使用5V邏輯電平控制,用于為USB-C口輸出同步整流降壓。

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VS3618AE

威兆VS3618AE為 USB-C口輸出VBUS開關,NMOS,耐壓30V,導阻6mΩ,使用5V邏輯電平控制,采用PDFN3333封裝規格。

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VS3618AP

威兆半導體的VS3618AP MOS管,NMOS,耐壓30V,導阻5.4mΩ,使用5V邏輯電平控制,常用于產品中的同步升降壓。

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VS3618BE

威兆半導體VS3618BE的MOS管耐壓30V,NMOS,導阻5.2mΩ,PDNF3333封裝,邏輯電壓驅動,在產品中多用作VBUS開關。

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VS3622AE

威兆VS3622AE使用5V邏輯電平驅動,NMOS,耐壓30V,采用PDFN3333封裝。四顆組成H橋,用來驅動無線充電線圈。

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VS3622DB

威兆半導體的雙N MOS管,型號VS3622DB,耐壓30V,由5V邏輯電平驅動,用于同步整流降壓輸出,雙管集成性能提升。

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VS3622DE

威兆VS3622DE 雙NMOS管,耐壓30V,導阻10mΩ,使用5V邏輯電平控制,用于兩組線圈的切換,兩路輸出端口的獨立保護。

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VS3622DS

威兆VS3622DS耐壓30V,NMOS,使用5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝規格,常作為USB-A2口的輸出VBUS開關出現。

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VS3622DP2

威兆 VS3622DP2 雙NMOS管,用于無線充電線圈驅動。使用邏輯電壓驅動,更好適配無線充電主控。內置雙MOS,使用兩顆即可組成完整全橋。

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VS3640AE

威兆VS3640AE常用于輸出VBUS開關,NMOS,使用5V邏輯電平驅動,耐壓30V,導阻為13.5mΩ,使用PDFN3333封裝。

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VS3640DS

威兆 VS3640DS 雙NMOS管,使用5V邏輯電平控制,耐壓30V,使用SOP封裝規格。兩顆可組成H橋驅動線圈,用于控制兩側無線充電部分供電。

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VS3698AE

威兆VS3698AE常用于輸出VBUS開關,NMOS,耐壓30V,導阻3mΩ,采用PDFN3333封裝規格,用于兩路端口輸出功率分配。

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VS4020AP

威兆半導體 VS4020AP MOS管,耐壓40V,導阻4mΩ,采用PDFN5X6封裝規格,漏極電流 ID在25攝氏度條件下的最大值是60A。

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VS4435AS

威兆VS4435AS采用SOP8封裝規格,在在25攝氏度條件下,耐壓值為30V,導阻為18mΩ,常用于PD輸出開關控制。

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VS4604AP

威兆VS4604AP使用5V邏輯電平控制,耐壓40V的NMOS管,導阻為2.7mΩ,采用PDFN5X6封裝。

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VS4540AE

威兆VS4540AE常用于輸入切換MOS管,耐壓40V的PMOS,導阻為65mΩ,采用MOS管中常見的PDFN3333封裝方式。

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VSA007N02KD

上圖為威兆VSA007N02KD的兩顆MOS管搭配使用,可以與DW01組成鋰電保護,為產品提供更安全的運行環境。

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VSE003P02KS

威兆VSE003P02KS采用PDFN3333封裝方式,耐壓值為20V,導阻為5.8mΩ,PMOS,兩顆搭配使用在輸入接口處對向串聯,可以用于防止電流倒灌。

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VSE007N04MS-G

威兆VSE007N04MS-G采用PDFN3333封裝方式,耐壓值為40V,導阻為3.2mΩ,當兩顆威兆VSE007N04MS-G搭配使用時,可以為1A1C的接口輸出進行同步整流降壓。

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VSE007N04MS

威兆VSE007N04MS常用于同步升降壓開關管,采用PDFN3333封裝,耐壓40V的NMOS。用于為USB-C1口輸出同步整流降壓。

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VS4604DM

威兆VS4604DM采用TO-263封裝方式,導阻為1.6mΩ,耐壓40V的NMOS,常用于充電輸入保護。

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VSE009NE6MS-G

威兆半導體的 NMOS管型號為 VSE009NE6MS-G,可采用四顆VSE009NE6MS-G組成H橋完成無線充電,管子耐壓為60V,導阻7mΩ,采用PDFN3333封裝。

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VS3510AE 

威兆VS3510AE用于輸出同步整流降壓,采用PDFN3333封裝方式,導阻10mΩ,耐壓30V的PMOS,使用5V邏輯電平控制。

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VS4620GEMC

威兆VS4620GEMC常用于VBUS開關管是一顆采用PDFN3333封裝,耐壓40V的NMOS,導阻為6.4mΩ。

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VS3620GPMC

威兆VS3620GPMC常用于同步降壓開關管,采用PDFN5*6封裝方式,耐壓30V的NMOS,導阻為5.4mΩ。

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VSP003N06MS-G

威兆VSP003N06MS-G常用于輸出同步整流管,是一顆采用PDFN5*6封裝方式,耐壓60V的NMOS,導阻為2.5mΩ,由PI主控芯片輸出的控制信號驅動,進行同步整流。

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中壓同步整流管

VSP009N10MS

威兆號VS009N10M是一顆常用于同步整流的MOS。采用PDFN5x6封裝方式,使用5V邏輯電平控制,耐壓110V的NMOS,導阻為6.5mΩ。

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VS5804AP

威兆VS5804AP常用于輸出VBUS開關管,采用PDFN5*6封裝,耐壓55V的NMOS,導阻為2.7mΩ,在25攝氏度條件下漏感電流為105A。

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VS6018AS

威兆VS6018AS常用于次級同步整流管,采用SOP8封裝,耐壓60V/18A,n溝道 MOSFET,適用于各種常規大小充電器使用。

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VS6016HS

威兆VS6016HS常用于次級同步整流MOS,采用SOP8封裝方式,耐壓60V的NMOS,12mΩ導阻,可與適配的初級開關管搭配使用,組成開關電源。

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VS6018BS

威兆VS6018BS常用于次級同步整流MOS,采用SOP8封裝方式,耐壓65V的NMOS,導阻為6.7mΩ。

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VS6410AS

威兆VS6410AS常用于次級同步整流MOS管,采用SOP8封裝,耐壓為60V的NMOS,導阻為11mΩ,在案例中搭配吉林華微的初級主控MOS管組成開關電源部分。

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VS6412AE

威兆號VS6412AE常用于次級同步整流管,采用PDFN3333封裝方式,耐壓65V的NMOS,導阻為19mΩ,使用通用的5V邏輯電平。

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VS6608GE

威兆VS6608GE MOS管常用于同步升降壓電壓轉換,采用PDFN3333封裝方式,耐壓65V的NMOS管,導阻為6mΩ。

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VSI008N10MS

威兆VSI008N10MS常用于次級同步整流。采用TO-251封裝方式,耐壓100V的MOS管,導阻6mΩ。

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VSE011N06MS

威兆VSE011N06MS采用PDFN3333封裝方式,耐壓60V的NMOS管,導阻為9mΩ,常用于無線充電線圈切換。

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VSI011N10MS-G

威兆VSI011N10MS-G常用于次級同步整流,采用TO-251封裝方式,耐壓100V的NMOS,導阻為9mΩ。

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VSO009N06MS-G

威兆VSO009N06MS-G常用于同步整流,采用SOP8封裝方式,耐壓60V的NMOS,導阻為8mΩ。

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VSP008N10MSC

威兆VSP008N10MSC采用PDFN5x6封裝,耐壓100V的NMOS,導阻6mΩ,支持邏輯電壓控制,常用于次級同步整流。

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VSP012N12MS

威兆VSP012N12MS常用于次級同步整流,采用DFN5*6封裝方式,導阻為12.8mΩ,耐壓為120V的NMOS。

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VST012N12MS

威兆VST012N12MS采用TO-220AB封裝方式,導阻為11.5mΩ,耐壓為120V的NMOS,常用于次級同步整流的MOS管。

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VST013N10MS

威兆VST013N10MS采用TO-220AB封裝工藝,導阻為11mΩ,耐壓為100V的NMOS,常用于同步整流MOS來。

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VS4610AE

威兆VS4610AE常用于同步整流MOS來,采用PDFN3333封裝方式,導阻為6.8mΩ,耐壓為40V的NMOS,在案例中用于為USB-C口輸出同步整流降壓。

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VS6614GS

威兆VS6614GS常用于同步整流管,采用SOP8封裝,導阻為10.5mΩ,耐壓為60V的NMOS。

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VSP004N10MS-G

威兆VSP004N10MS-G常用于同步整流管,采用PDFN5x6封裝,耐壓為100V,擁有3.8mΩ超低導阻。

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VSP003N10HS-G

威兆VSP003N10HS-G采用PDFN5x6封裝,擁有3.8mΩ超低導阻,耐壓100V的NMOS,可以使用兩顆VSP003N10HS-G并聯進行同步整流。

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VSP003N08HS-G

威兆VSP003N08HS-G采用PDFN5060X封裝,2.4mΩ超低導阻,耐壓為80V的NMOS管,常用于同步整流管。

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VSP007N12MS-G

威兆VSP007N12MS-G是一顆耐壓120V的NMOS,導阻為6.5mΩ,采用PDFN5060X封裝,常用于同步整流管。

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VS3620GEMC

威兆VS3620GEMC同步開關管,耐壓為30V的NMOS,導阻4.9mΩ,采用PDFN3333封裝,可使用四顆VS3620GEMC可組成H橋用于同步升降壓。

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VSO008N10MS

威兆VSO009N10MS常用于同步整流管,由PI電源芯片輸出的同步整流驅動信號控制。后續此型號被VSO008N10MS取代,VSO008N10MS參數與VSO009N10MS參數接近,采用SOP8封裝方式,耐壓100V,導阻為6.4mΩ,使用5V邏輯電平控制。

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充電頭網總結

近兩年來,隨著PD協議的更新,快充技術的再次綻放出新的光彩,從最初的QC快充到各家終端品牌推出的私有快充協議,從以前的10W到如今的200W以上,充電速度越來越快,充電功率也越來越大,同步整流管的要求也越來越嚴格,快充技術已經在消費類電源市場市場中得到快速普及,也會帶動MOS管市場的發展。

威兆半導體在MOS領域深耕多年,旗下同步整流管家族矩陣十分龐大,多達64款型號的同步整流管,可輕松滿足200瓦級別的快充應用,為快充廠商提供了集成度更高、更具性價比的選擇。目前已經成功進入小米、華為、IQOO、努比亞、魅族、OPPO、倍思、機樂堂、飛利浦、圖拉斯等諸多知名品牌供應鏈,產品性能獲得市場長期驗證。