充電頭網(wǎng)注意到，羅姆將推出兩款高集成臨界導(dǎo)通模式PFC控制器BM3GF01MUV-LBZ與BM3GF02MUV-LBZ。該芯片內(nèi)部直接封裝了650V氮化鎵開關(guān)管，采用VQFN 8×8封裝。為高功率適配器提供更緊湊的方案。

針對(duì)中大功率的ebike充電器以及人形/四足機(jī)器人快充等工業(yè)應(yīng)用場景中，該系列芯片提供了導(dǎo)通電阻僅為70mΩ的型號(hào)選項(xiàng)，可顯著降低導(dǎo)通損耗，緩解無主動(dòng)散熱設(shè)計(jì)充電器的發(fā)熱壓力。

該芯片內(nèi)置了逐周期過流保護(hù)、靜態(tài)過壓保護(hù)等多重安全機(jī)制，還允許工程師通過調(diào)整RSR引腳的外接電阻來靈活控制GaN管的關(guān)斷壓擺率，為電源系統(tǒng)提供了EMI調(diào)試的便利。

可見這款內(nèi)置GaN的PFC控制器憑借高效率、低待機(jī)功耗以及完善的保護(hù)機(jī)制，為下一代高密度電源提供了更高效的前級(jí)解決方案。

截至發(fā)稿日，羅姆BM3GF01MUV-LBZ與BM3GF02MUV-LBZ兩款芯片在官網(wǎng)仍標(biāo)注“開發(fā)中”狀態(tài)。

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