前言

在剛剛結(jié)束的2025火山引擎FORCE原動(dòng)力大會(huì)·冬上,全球領(lǐng)先的電源管理公司Empower Semiconductor正式推出了其專為AI和高性能計(jì)算芯片而設(shè)計(jì)的、基于IVR技術(shù)的Crescendo垂直供電解決方案,以應(yīng)對(duì)高性能計(jì)算的千瓦級(jí)功率需求和kA+/us的瞬態(tài)電流跳變對(duì)傳統(tǒng)電源方案帶來的巨大挑戰(zhàn),并系統(tǒng)展示了其技術(shù)特色與產(chǎn)品布局。

本次發(fā)布重點(diǎn)呈現(xiàn)兩條核心產(chǎn)品線,即Crescendo千瓦級(jí)垂直供電平臺(tái)以及面向電源/信號(hào)完整性的ECAP硅電容。Empower利用獨(dú)家的 FinFast 技術(shù),結(jié)合領(lǐng)先的控制、磁性和封裝能力,實(shí)現(xiàn)了帶寬高達(dá)5M的高頻DCDC解決方案Crescendo,并結(jié)合ECAP極致的高頻去耦性能,Empower 把供電從傳統(tǒng)的堆料式去耦與橫向送電,推進(jìn)到更貼近負(fù)載、更高效率、更高密度的系統(tǒng)級(jí)供電形態(tài)。

Empower Semiconductor 也在大會(huì)期間接受了充電頭網(wǎng)的采訪。更多內(nèi)容請(qǐng)觀看上方視頻。接下來充電頭網(wǎng)也將詳細(xì)介紹一下本次發(fā)布的全新產(chǎn)品。

Crescendo千瓦級(jí)垂直供電平臺(tái)

本次大會(huì)的核心焦點(diǎn)無疑是 Empower 針對(duì)高性能AI 處理器(xPU)推出的 Crescendo 垂直供電平臺(tái)。

在大會(huì)現(xiàn)場(chǎng),Empower 展示了該平臺(tái)如何通過消除傳統(tǒng)橫向供電的鏈路損耗,實(shí)現(xiàn)電源效率質(zhì)的飛躍。

通過資料文檔和現(xiàn)場(chǎng)工作人員的專業(yè)介紹,充電頭網(wǎng)也將該產(chǎn)品的性能和優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)單概括了一下:

● 千瓦級(jí)性能: Crescendo 簡(jiǎn)單易用,采用Power Leaf 模塊化架構(gòu),單個(gè) Power Leaf可輸出 65A 電流,最高可擴(kuò)展至 3250A 峰值電流,專為千瓦級(jí) AI 和 HPC 負(fù)載設(shè)計(jì)。熱阻更是低于 2°C/W,表現(xiàn)十分優(yōu)異。

● 極致響應(yīng)速度與更低功耗: 針對(duì) AI 負(fù)載瞬息萬變的特性,Crescendo 也具備非常驚人的瞬態(tài)響應(yīng)能力。數(shù)據(jù)顯示,其響應(yīng)速度比傳統(tǒng) VRM快約 10倍,Droop voltage減小50%。這意味著更穩(wěn)定的供電,由此可以優(yōu)化芯片的工作電壓,使AI芯片在單位功率下的計(jì)算性能提升10%以上。

● 密度與效率更優(yōu)秀: 相比傳統(tǒng)方案,Crescendo 能大幅提升功率密度,同時(shí)將PCB上的路徑損耗降低80%,使服務(wù)器板卡的系統(tǒng)效率提升5%以上。

高性能ECAP硅電容

在電源與信號(hào)完整性方向,Empower 的 ECAP硅電容定位為面向高性能計(jì)算平臺(tái)的新一代去耦器件,采用 Deep Trench 深溝槽技術(shù),主打 <1pH 的超低 ESL 與 <5 mΩ 的超低 ESR,并覆蓋 10MHz–10GHz 的寬頻特性,適合用在對(duì)電源噪聲和瞬態(tài)電流更敏感的 AI/HPC 平臺(tái)上。對(duì)于系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言,ECAP的價(jià)值在于能更簡(jiǎn)單的把 PDN 的高頻阻抗壓得更低,讓系統(tǒng)在更高頻段也能輕松滿足設(shè)計(jì)指標(biāo),從而為電壓紋波控制與電源完整性留出更大的設(shè)計(jì)余量。

ECAP 也更貼近先進(jìn)封裝的裝配方式,既支持基板內(nèi)嵌,也支持 die/land side 貼裝,并支持 50µm 的超薄形態(tài),同時(shí)可以定制厚度與大小,方便在空間極其緊張的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)就近去耦。同時(shí),ECAP 無 DC/AC 降額、無老化或溫度降額,有助于在高頻去耦與長(zhǎng)期穩(wěn)定性設(shè)計(jì)中減少因降額帶來的裕量壓力。Empower 亦提供硅電容的定制化設(shè)計(jì)與制造服務(wù),可圍繞特定應(yīng)用的性能目標(biāo)與物理/機(jī)械約束,定義并實(shí)現(xiàn)更貼合系統(tǒng)的電容形態(tài)與參數(shù)組合,提升在先進(jìn)封裝與高密度電源網(wǎng)絡(luò)中的工程適配度。

 

Empower的技術(shù)體系

最后就是Empower的技術(shù)體系了,這是Empower 面向 AI/HPC 高功耗密度場(chǎng)景構(gòu)建的一套底層電源技術(shù)體系,覆蓋器件、控制、磁性與封裝散熱等領(lǐng)域。該體系以FinFAST技術(shù)為基礎(chǔ),大幅提高功率器件的性能,使DCDC的開關(guān)頻率能提高百倍以上,突破100MHz,并結(jié)合先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)和先進(jìn)的無源器件,使DCDC的帶寬突破10MHz。同時(shí)依托定制化的封裝與雙面散熱設(shè)計(jì),將熱阻指標(biāo)推進(jìn)至 0.8°C/W 水平。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

這次 Empower Semiconductor 通過發(fā)布 Crescendo 垂直供電平臺(tái)與 ECAP 硅電容 ,構(gòu)建了一套完整的千瓦級(jí)AI時(shí)代的供電生態(tài)。AI 時(shí)代的來臨讓服務(wù)器的功耗越來越高,電源系統(tǒng)的競(jìng)爭(zhēng)也不再只是那幾個(gè)百分點(diǎn)的效率提升,而是瞬態(tài)響應(yīng)、功率密度、熱管理與可量產(chǎn)落地之間的綜合平衡。Empower 用 FinFast 把器件、控制、磁性與封裝散熱歸一到一顆小小的芯片內(nèi),對(duì)整機(jī)廠、加速卡方案商以及先進(jìn)封裝生態(tài)而言,這種從供電路徑、去耦配置到熱設(shè)計(jì)一體化推進(jìn)的思路,讓后續(xù)更強(qiáng)算力的芯片有了一條更容易復(fù)用、也更容易量產(chǎn)落地的供電路線。