前言

在全球功率半導體產業追求更效率功率半導體遷移的浪潮中，技術與資本的激烈角逐持續上演。近期，行業內新動作不斷涌現，從性能卓越的新品發布到大規模的產能擴張，從資本的深度并購到關鍵技術的突破，功率半導體賽道正展現出前所未有的蓬勃活力。為幫助廣大讀者及時掌握功率半導體行業的新品最新動態，我們精心梳理了近期的突出新品案例，接下來小編將為您深入解析。

本文排序不分先后，按品牌英文首字母順序排列。

CRMICRO華潤微

華潤微第6代高性能SGT MOS產品

華潤微近期針對Ai服務器、DC-DC以及磚塊電源等領域推出25V SGT MOSFET產品CRSK010NE2L6，該芯片UIS性能優異、開關損耗低。

相比上一代產品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及體二極管軟度等方面顯著優化，可為MHz級高頻電源領域提供更高效、更可靠的解決方案。實際參數上，該產品采用DFN3×3封裝，耐壓25V，連續漏電流160A，導阻最高1.5m歐姆。

Infineon英飛凌

英飛凌推出650V MOSFET

英飛凌推出全新650V CoolMOS 8系列芯片，芯片為高功率應用提供50V電壓裕量，滿足數據中心、電信等應用交流輸入電壓提升需求，還為電動汽車充電和固態斷路器應用增強浪涌保護。該系列集成快速體二極管，適用多種高功率場景，是 CoolMOS 7 MOSFET 的理想升級選擇，產品型號豐富。

其具備低導阻、出色的換向耐用性、先進互連技術及完整產品組合，采用8mΩ BiC頂部散熱封裝設計。競爭優勢明顯，反向恢復電荷性能提升，反向恢復時間較同類縮短 35%，采用 QDPAK 等頂部散熱封裝技術，品質卓越?？珊喕O計、縮短開發周期，產品線清晰，推動系統級創新，廣泛應用于數據中心、電信設備、超固態解決方案、電動汽車充電、不間斷電源及工業SMPS等領域。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科推出頂部散熱Dual-Cool GaN，顯著提升系統熱性能

英諾賽科的Dual-Cool系列氮化鎵的主要優勢在于其采用了先進的Dual-Cool En-FCLGA封裝，傳統單冷卻封裝因熱路徑單一，易形成局部熱點，而En-FCLGA封裝由于雙面散熱架構的引入，通過頂部與底部的協同散熱設計，較同類單面散熱方案提升65%的導熱效率。這一改進直接降低了器件的工作結溫，顯著提升系統熱性能，有助于實現更高的功率密度。

Dual-Cool系列氮化鎵的另一大亮點是其先進的100V E-mode GaN 技術。該技術賦予了產品極低的柵極電荷以及更低的導阻。同時，其占板面積非常小，能夠有效節省PCB空間，滿足現代電子設備對小型化的需求。

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Navitas納微

納微推出極佳耐高溫表現和高穩定性SiCPAK功率模塊

納微全新SiCPAK功率模塊采用環氧樹脂灌封技術，結合納微獨家的 “溝槽輔助平面柵” 碳化硅MOSFET技術，歷經嚴苛設計及全面驗證流程，專為高功率環境中的穩定運行打造，可靠性與耐高溫性能更優。

納微SiCPAK功率模塊內置NTC熱敏電阻，提供多種產品組合，提供4.6-18.5mΩ規格可選，封裝提供SiCPAK F以及SiCPAK G可選，同時對應半橋、全橋、光伏三項逆變等不同電路配置場景，與行業標準壓接式模塊可實現引腳對引腳兼容，另可選配預涂導熱界面材料（TIM）以簡化組裝流程。

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PI

PI發布HiperLCS-2芯片組

PI HiperLCS?2?離線式?LLC?開關IC芯片組由集成高帶寬?LLC?控制器、同步整流驅動器和?FluxLink?隔離鏈路的隔離器件HiperLCS2?SR與采用600?V?FREDFET?半橋功率器件?HiperLCS2?HB?構成，借助全新?POWeDIP?封裝及電絕緣陶瓷導熱墊，可實現高達1650?W?連續輸出，峰值更是可達2450?W，效率超過98%，空載功耗低于65?mW，且無需風扇或通風設計。

器件在400?V?DC輸入下可提供出色的0%–100%動態響應，同時相較于分立式方案元件數與PCB面積最多減少60%，通過自供電啟動功能還可為后級?PFC?芯片提供偏置電源，極大提升工業電源及戶外電動工具充電器的可靠性、防塵防潮性能和散熱簡便性。

Renesas瑞薩

瑞薩發布新一代650V GaN FET

瑞薩電子基于 Gen IV Plus 平臺推出三款新型高壓 650V GaN FET，型號分別為 TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS，提供 TOLT、TO-247 和 TOLL 三種封裝。

以 TP65H030G4PRS 為例，其為 30mOhm、650V GaN 器件，采用符合 JEDEC 標準的 GaN 技術，經低動態電阻Dynamic RDS(on) eff 驗證，擁有零反向恢復電荷，可減少分頻損耗，提升硬開關和軟開關電路效率，進而提高功率密度、減小系統尺寸和重量、降低成本，適用于AI數據中心和電信電源、電動汽車充電等多領域。三款產品封裝緊湊，能滿足1kW至10kW電源系統熱性能與布局優化需求，且可并聯組成更高功率電源系統，其中TOLL和TOLT封裝利于散熱及并聯，TO-247封裝則可實現更高功率。

ROHM羅姆

羅姆推出AI服務器適用100V MOSFET

羅姆公司新推出100 耐壓的功率MOSFET——RY7P250BM，尺寸為8×8mm，未來需求看漲且能輕松替換現有產品。它兼具寬 SOA 范圍和低導通電阻，保障熱插拔工作可靠性并優化電源效率、降低功耗發熱量，在 AI 服務器 48V 電源熱插拔電路等場景應用優勢明顯。

RY7P250BM的SOA范圍在脈寬10ms時可達 16A、1ms 時達 50A，性能業界領先。與普通同尺寸同耐壓 MOSFET 相比，其導通電阻僅 1.86mΩ（VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃），降低約 18%。這大幅減少功率損耗、發熱量，提升電源效率，緩解冷卻負荷、削減電力成本。

Vishay威世

威世推出新款80V TrenchFET Gen IV N 溝道功率 MOSFET

Vishay推出80V TrenchFET Gen IV N溝道功率MOSFET——SiEH4800EW，具備更低導阻。這款采用無引線鍵合（BWL）封裝的MOSFET，在10V下導通電阻為0.88mΩ，有效降低功率損耗，提升效率；其最大熱阻低至 0.36 ℃/W，大幅改善熱性能。8×8mm尺寸新品與TO-263封裝MOSFET相比PCB面積減少50%，厚度僅1mm。

SiEH4800EW焊盤融合設計，源焊盤可焊面積達3.35 mm²，較傳統PIN焊接面積大四倍，降低電流密度，減少電遷移風險。其側翼易于吸附焊錫，提高可焊性和焊點可靠性。這款MOSFET 非常適合同步整流和Oring應用，典型應用于電機驅動控制器、電動工具等工業設備，可在 +175 ℃高溫下工作，BWL 設計降低寄生電感，提升電流能力，且符合RoHS標準，無鹵素，經過 100%Rg和UIS測試。

XYD芯一代

芯一代推出60V SGT MOS XK1P2N060GX1A

XK1P2N060GX1A為屏蔽柵溝槽型 MOSFET（SGT MOS），。其耐壓大于 60V，導通電阻典型值 Rds（on）僅為 1.2mΩ，相比同類產品，展現出低比導通電阻的特點。同時，該產品具備低密勒電容，開關速度快，在高頻開關情況下損耗低。在電性參數上，其優秀的電容和 Qg 特性，使得開關時間較短且損耗較小，擊穿電壓穩定達到 60V 以上，具備工業級的高可靠性。

在應用領域方面，本產品可廣泛適用于儲能電源、電機控制、電動工具、無人機、服務器、數據中心電源、快充電源適配器等行業。得益于其低導通電阻、低開關損耗等優勢，能夠滿足這些領域對高效能、高可靠性電子元件的需求，為相關設備的穩定運行和性能提升提供有力支持。

YJ楊杰

楊杰推出SGT工藝N60V MOSFET新品

揚杰科技近期隆重推出專為清潔能源領域打造的N60V MOSFET系列產品。該系列產品運用特殊優化的 SGT 技術，在降低導電和柵極電荷方面表現出色，顯著減少了導通和開關過程中的損耗，同時有效提升了 MOSFET 抗沖擊電流的能力，使其成為高功率密度與高效率電力電子變換系統的理想選擇。

產品具有諸多亮點。首先，采用優化的 SGT 工藝，內阻低且開關特性優異。其次，具備耐高溫特性，能在 175℃的工作溫度下穩定運行，同時擁有出色的散熱性能和良好的溫升表現。在封裝方面，采用 TOLL、TO-263 等封裝形式，適用于 BMS 等大功率應用場景。此外，針對工控應用的多種復雜工作狀態，對MOS產品EA 能力進行優化，大幅提高了產品的可靠性，可在BMS、DC-DC、儲能、光伏微逆等領域應用。

充電頭網總結

功率半導體行業正不斷突破升級。從低電壓到高耐壓，從高導阻到低損耗，各品類產品持續優化，封裝工藝日益精湛，應用場景也愈發廣泛。每一次技術演進，都為電源系統效率與可靠性帶來質的飛躍，推動著數據中心、新能源汽車、工業設備等多領域快速發展。隨著研發深入與創新加速，功率半導體還將不斷迭代，為全球電子產業注入強大動力，引領行業邁向更高臺階。

以上便是本次多款功率器件新品匯總的全部內容，如您需要持續了解功率半導體行業風向，您可以關注充電頭網，我們將會持續為您整理業界最新動向。

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