前言

碳化硅材料在耐高壓方面具有天生優勢，并且開關速度快，適用于高功率和高頻率的應用場景，常在工業、新能源汽車汽車場景應用；而氮化鎵具有高電子遷移率和高擊穿電場強度，其電子遷移率比碳化硅高，理論上適合做高頻器件，但由于其本身是極性晶體，存在很強的自發極化和壓電極化效應，導致其在高電壓、大電流情況下，器件的散熱性較差，設計千伏耐壓器件難度與成本相對較大，更適合消費級場景應用。

近期，充電頭網了解到，華為旗下海思技術有限公司進軍碳化硅功率器件領域，首批推出兩款TO-247封裝1200V SiC單管，面相工業高溫、高壓場景場景。

海思1200V SiC器件

海思ASO1K2H020M1T4

海思ASO1K2H020M1T4是一顆采用TO-247-4封裝的1200V碳化硅MOSFET，25°C環境下導阻20mΩ，而在175°C高溫下也可維持30mΩ超低導阻，柵極電荷185nC，最高可通過100A電流（25℃）。

海思ASO1K2H035M1T4

海思ASO1K2H020M1T4是一顆采用TO-247-4封裝的1200V碳化硅MOSFET，25°C環境下導阻35mΩ，而在175°C高溫下也可維持57mΩ導阻，柵極電荷108nC，最高可通過100A電流（25℃）。

充電頭網總結

海思此次推出的1200V SiC單管，憑借其在高溫高壓場景下的性能，豐富了自身在功率器件領域的產品線，更為工業及汽車電子等行業提供了高效可靠的解決方案。這一舉措彰顯了海思在寬禁帶半導體領域的技術實力與市場布局，有望推動碳化硅功率器件在更多高端應用中的普及，加速產業升級與技術創新，對于提升我國在半導體關鍵領域的自給率和競爭力具有重要意義。

充電頭網了解到，海思前身為華為集成電路設計中心，1991年啟動集成電路設計及研發業務，為匯聚行業人才、發揮產業集成優勢，2004年注冊成立實體公司，提供海思芯片對外銷售及服務。海思致力于為智慧城市、智慧家庭、智慧出行等多場景智能終端打造性能領先、安全可靠的半導體基石，服務于千行百業客戶及開發者。海思產品覆蓋智慧視覺、智慧IoT、智慧媒體、智慧出行、顯示交互、手機終端、數據中心及光收發器等多個領域。海思在中國、新加坡、韓國、日本、歐洲等地設有12個辦事處和研發中心，產品和服務遍布全球100多個國家和地區。