前言

MOCVD外延設(shè)備是一種用于在襯底上生長化合物半導(dǎo)體單晶薄膜的精密設(shè)備。它通過將Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，在高溫下進(jìn)行熱分解反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)氣相外延生長，可用于制備半導(dǎo)體材料GaN。

近年來，中國企業(yè)在MOCVD設(shè)備領(lǐng)域取得重要突破，逐步打破海外企業(yè)壟斷。而今年6月，充電頭網(wǎng)了解到無錫先為科技完全自主知識產(chǎn)權(quán)的自主研發(fā)GaN MOCVD BrillMO外延設(shè)備已成功發(fā)貨，能夠顯著提升GaN器件生產(chǎn)效率并降低使用成本。

先為科技自主研發(fā)的首臺GaN MOCVD Brillmo外延設(shè)備正式交付

2025年6月16日，無錫先為科技有限公司（下文簡稱“先為科技”）自主研發(fā)的首臺GaN MOCVD Brillmo外延設(shè)備正式交付國內(nèi)頭部化合物半導(dǎo)體企業(yè)，標(biāo)志著公司在化合物半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域取得重大突破。

江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會秘書長秦舒、無錫市集成電路學(xué)會秘書長周德金、江南大學(xué)集成電路學(xué)院教授敖金平、先導(dǎo)集團(tuán)董事長王燕清等嘉賓出席發(fā)貨儀式并致辭。

本次交付的設(shè)備性能達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平，其獨(dú)特的溫場和流場設(shè)計確保高質(zhì)量成膜，為功率芯片、射頻芯片及Micro LED芯片的GaN外延制造提供堅實(shí)保障。設(shè)備兼具高產(chǎn)能與低成本優(yōu)勢，可顯著提升客戶生產(chǎn)效率，提供優(yōu)異的GaN外延加工解決方案。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

作為先為科技正向自主研發(fā)的成果，該設(shè)備擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，有力推動了化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備的國產(chǎn)化進(jìn)程。此次交付不僅是先為科技發(fā)展的里程碑，也是先導(dǎo)集團(tuán)“裝備自主”戰(zhàn)略在半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要成果。

無錫先為科技有限公司（簡稱"先為科技"）是一家致力于化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備的研發(fā)、制造與銷售的創(chuàng)新型和科技型企業(yè)，為全球客戶提供高端化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備與服務(wù)。

先為科技是先導(dǎo)集團(tuán)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵企業(yè)，公司依托集團(tuán)在高端裝備制造領(lǐng)域的深厚積累，在化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備領(lǐng)域，擁有正向研發(fā)且知識產(chǎn)權(quán)自主可控的GaN MOCVD外延設(shè)備、SiC Epi外延設(shè)備，應(yīng)用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生產(chǎn)制造，各項(xiàng)性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，為客戶提供高可靠性、高性能的量產(chǎn)外延裝備及全生命周期解決方案。