前言

小米15S Pro是小米在15 Pro的基礎(chǔ)上專門研發(fā)的，作為小米集團成立15周年的紀念產(chǎn)品。與小米15 Pro相比，小米15S Pro不僅在屏幕、影像、散熱等方面均有升級，而且還搭載小米新發(fā)布的3nm自研手機SOC芯片玄戒O1，可謂誠意滿滿。

玄戒O1帶來了相當(dāng)多的亮點和流量，也吸引了眾多知名科技博主、媒體評測，手機整體體驗十分流暢，游戲、視頻表現(xiàn)出眾，相較于蘋果A18，高通驍龍8 Elite，Mediatek 的天璣9400+等旗艦芯片，玄戒O1表現(xiàn)可圈可點，標(biāo)志著小米自研芯片正式躋身世界第一梯隊。

玄戒O1的推出可以說非常振奮人心，作為中國大陸首顆自主研發(fā)設(shè)計的3nm芯片，具有劃時代的意義，連中央電視臺也進行了跟進報道。其搭載在小米15S Pro上，大大提升了新機的關(guān)注和支持度，進而在銷量方面取得成功，同時提升了小米作為硬核科技品牌的影響力。充電頭網(wǎng)也是第一時間拿到這款手機進行拆解，帶大家一起來看看內(nèi)部的細節(jié)設(shè)計。

小米15S Pro手機開箱

小米15S Pro采用6.73英寸全等深微曲屏，這是一款2K低功耗屏，采用定制M9發(fā)光材料，支持120Hz刷新率以及3200nits亮度。

新機還搭載小米HyperOS 2，本期拆解的為16GB內(nèi)存+512GB存儲 龍鱗纖維版。

閃光燈處增加了XRING特殊徽印，標(biāo)志手機搭載了小米的玄戒芯片O1。

后攝模組搭載三顆5000萬像素徠卡光學(xué)全焦段高速鏡頭，支持全焦段的4K夜景視頻，性能十分強大。

玄戒O1和小米15S Pro手機拆解

我們先看這部手機的最大賣點，搭載玄戒O1的主板拆解。

主板左側(cè)為SOC位置，粘貼銅箔加強散熱。主板背面為雙層疊板設(shè)計，提升空間利用率。主板薄弱位置正反面均焊接金屬片加固。

撕下主板粘貼的銅箔，在SOC上方涂有導(dǎo)熱凝膠，在基帶芯片和UFS芯片上粘貼紅色導(dǎo)熱墊。

在屏蔽罩中間位置正方形開孔為手機的SOC芯片，為雙層封裝。

小心取下玄戒O1處理器上方的內(nèi)存芯片，終見廬山真面目。XRING O1的絲印格外清晰，也側(cè)面打破了質(zhì)疑，證明該芯片為玄戒全棧自研。

拆解取下玄戒 O1 3nm旗艦處理器，處理器采用第三代3nm工藝制程，內(nèi)置十核四叢集CPU，雙超大核Cortex-X925核心，最高主頻為3.9GHz，并內(nèi)置Immortalis-G925 16核CPU，搭載第四代圖像處理器，內(nèi)置6核NPU，晶體管數(shù)量達190億，安兔兔跑分3,004,137分，性能躋身第一梯隊。

在玄戒O1處理器背面焊接了4顆硅電容和5顆陶瓷電容，用于抑制電源噪聲。這也是充電頭網(wǎng)首次在國產(chǎn)手機處理器拆解上看到硅電容。

玄戒O1背面焊接的硅電容來自Empower Semiconductor安普沃爾半導(dǎo)體，型號EC1004B，電容尺寸僅為0.64*0.5mm，超薄厚度為75μm，電容容量為230nF，支持-40~125℃工作溫度。該硅電容的容值在不同的工作電壓和溫度下都能保持不變，且ESL低至6.5pH，諧振頻率高達300MHz，非常適合封裝集成，基板埋嵌，為基于先進工藝的高性能SOC芯片供電濾波。

Empower Semiconductor安普沃爾半導(dǎo)體 EC1004B 硅電容特寫，焊盤打膠填充密封。硅電容超薄的設(shè)計，可以焊接在處理器背面，焊球之間，自身的超低的等效電阻和等效電感，可將目標(biāo)頻段的電源噪聲降低50%，提高處理器的穩(wěn)定性，使其在更高的頻率運行下，獲得更加流暢的使用體驗，充分發(fā)揮性能。據(jù)了解，玄戒O1是國內(nèi)首家，在手機處理器芯片上使用硅電容的廠商。

Empower Semiconductor安普沃爾半導(dǎo)體 EC1004B 資料信息。

充電頭網(wǎng)對小米玄戒O1芯片進行了Decap，對比封裝和芯片內(nèi)部功能分區(qū)發(fā)現(xiàn)，安普沃爾硅電容背貼在3.9GHZ的Cortex-X925雙大核位置，說明硅電容被優(yōu)先使用到了高頻區(qū)域，用于提升主頻性能，減小電源噪聲，提升處理器穩(wěn)定性，進而超頻，極致提升處理器性能。充電頭網(wǎng)還從業(yè)界專家了解到，安普沃爾的硅電容已經(jīng)在Intel，Microsoft，Broadcom，Nokia，Meta等眾多國際知名大廠量產(chǎn)，出貨規(guī)模近一億片，可靠性極高，廣受好評。

同時，我們也透過公開數(shù)據(jù)，將玄戒O1的核心參數(shù)與高通驍龍8 Elite，MediaTek 的天璣9400+ 做了對比。可以看到玄戒O1的雙核主頻達到3.9GHZ，高于MediaTek的天璣9400+的單核3.7GHZ，稍遜于高通驍龍8 Elite的雙核4.3GHZ。小米初次發(fā)布自研手機處理器芯片就能躋身第一梯隊，甚至在部分性能上超越業(yè)界標(biāo)桿，表現(xiàn)可謂驚艷。

玄戒O1處理器上層的RAM芯片來自海力士，型號H58G76BV9HX095，為LPDDR5T內(nèi)存。

美光UFS4.1存儲芯片特寫，絲印4VA22 JZ624。

玄戒O1處理器外掛聯(lián)發(fā)科T800基帶芯片，型號MT6980W。

小米澎湃P3充電芯片特寫。

充電芯片來自南芯科技，型號SC6601A。

電源管理芯片來自聯(lián)發(fā)科技，型號MT6376FP。

看完了小米15S Pro手機的主板和玄戒O1主芯片的展示，再來看手機內(nèi)部的細節(jié)設(shè)計。

首先劃開后蓋四周的粘膠，拆下后蓋。

手機背面一覽，為傳統(tǒng)三段式設(shè)計，上方為攝像頭和主板，中間為電池和無線充電線圈，底部為副板和揚聲器部分。

主板上方設(shè)有壓板，通過螺絲固定，螺絲粘貼防拆標(biāo)簽。

擰下固定螺絲，拆下主板壓板。主板壓板與無線充電線圈連接，壓板設(shè)有傳感器和補光燈組件。

壓板另一面對應(yīng)連接器設(shè)有緩沖泡棉，在蓋板內(nèi)側(cè)設(shè)有排線，連接補光燈和傳感器組件。

三顆攝像頭均設(shè)有金屬防滾架，主板在防滾架下方，均通過蓋板螺絲固定。23mm主攝像頭，14mm廣角鏡頭，前置攝像頭和120mm潛望長焦攝像頭。

打開揚聲器排線，取出主板，主板對應(yīng)中框涂有導(dǎo)熱材料。頂部麥克風(fēng)設(shè)有黑色泡棉密封圈，側(cè)面邊鍵使用觸點連接，主攝像頭對應(yīng)位置粘貼導(dǎo)熱貼，潛望長焦位置能夠觀察到VC均熱板。

揚聲器來自瑞聲科技，為1014B規(guī)格，采用全金屬封裝。

電池為單電芯雙接口方案，電池充電限制電壓4.53V，電池額定容量為5960mAh，典型容量為6100mAh，標(biāo)稱電壓為3.85V，額定能量為22.95Wh，典型容量為23.49Wh，來自東莞新能德科技有限公司。

全部拆解一覽，來張全家福。

充電頭網(wǎng)拆解總結(jié)

小米15S Pro手機作為小米集團成立15周年的紀念產(chǎn)品，搭載了小米自研的手機SOC芯片玄戒O1，充分體現(xiàn)了小米公司多年積累的技術(shù)能力和沖擊全球頂尖科技公司的決心。這款SOC芯片的發(fā)布顯著提升了小米在高端市場的競爭力，也標(biāo)志著小米集團在大芯片研發(fā)上取得階段性的成功，并為小米今后的高端之路走出了關(guān)鍵一步。

充電頭網(wǎng)通過拆解了解到，小米15S Pro手機內(nèi)部搭載了玄戒O1處理器，搭配使用海力士LPDDR5T內(nèi)存和鎂光UFS4.1存儲器。在玄戒O1處理器背面，焊接有四顆Empower Semiconductor安普沃爾半導(dǎo)體的硅電容。硅電容超薄的厚度，高性能優(yōu)勢，能為處理器提供穩(wěn)定的供電，幫助旗艦芯片充分發(fā)揮性能。