前言

納微獨家溝槽輔助平面柵工藝，可實現平面和溝槽優勢互補，使得碳化硅MOSFETs兼具可靠性和可制性，相較傳統平面或溝槽技術，無需在性能或可制性做出妥協。

演講嘉賓介紹

演講嘉賓姓名：祝錦

職位：納微半導體技術營銷總監

演講主題：納微溝槽輔助平面柵工藝，碳化硅可靠性與可制性的雙突破

嘉賓個人介紹

祝錦，擁有南京航空航天大學本科和碩士學位，曾在MPS，Fairchild和ON分別擔任AE和FAE。現任納微半導體高級技術營銷經理，負責納微半導體大功率產品的市場及推廣。

關于納微

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast™氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC™碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過250項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral®認證的半導體公司。