前言
2025年5月消息，英偉達其下一代800V HVDC架構采用納微半導體的GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術開發。這一架構旨在為未來AI計算負載提供高效、可擴展的電力傳輸解決方案，實現更優效率與更高可靠性，同時簡化基礎設施設計。英偉達選擇與納微合作，為Kyber機架級系統及Rubin Ultra等GPU提供系統性供電解決方案。而實際采用英偉達800V HVDC架構可讓端到端能效提升5%，降低70%的維護成本，并借助高壓直流電與IT機架直連技術顯著降低冷卻成本。
隨著AI算力需求的增長，現代AI數據中心需要配置GW級供電系統。英偉達創新性地采用了固態變壓器和工業級整流器，直接將數據中心外的13.8kV交流電轉換為800V高壓直流電，省去多級AC/DC和DC/DC變換環節，顯著提升了能效與可靠性。
800V高壓直流電的高電壓特性使得在相同功率傳輸要求下，電流強度降低，銅纜直徑減少最高45%。相比之下，傳統54V直流系統若需支持兆瓦級機架，將消耗超過200公斤銅材，這難以滿足吉瓦級下一代AI數據中心的可持續發展需求。
納微半導體憑借其在氮化鎵與碳化硅技術領域的領先地位，為AI數據中心供電解決方案提供支持。納微的高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能，在高功率應用中具備卓越的可靠性和魯棒性。這些芯片具備短路保護（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV ESD保護、消除負柵極驅動并具備可編程的斜率控制等功能。在二次側DC-DC變換領域，納微推出了80-120V的中壓氮化鎵功率器件，專為輸出48V-54V的AI數據中心電源優化設計，實現高速、高效、低占板面積的功率轉換。
納微GeneSiC碳化硅產品覆蓋650V至6.5kV超高壓全電壓范圍，已在多個兆瓦級儲能并網逆變器項目中成功應用。其第三代快速碳化硅MOSFET相較同類產品不僅效率顯著提升，外殼溫度也低25°C，同時使用壽命長3倍。
納微半導體推出了一系列高性能電源解決方案，包括2023年8月發布的3.2kW CRPS電源、2024年11月推出的8.5kW AI數據中心電源，以及在Computex臺北國際電腦展期間全球首發的12kW AI數據中心電源解決方案。這些產品均采用了氮化鎵或氮化鎵結合碳化硅技術，實現了高功率密度和高效率。
納微半導體首席執行官兼聯合創始人Gene Sheridan表示：“我們很榮幸能夠參與到NVIDIA 800V HVDC的架構建設當中。納微在高功率氮化鎵與碳化硅領域的創新已開拓多個全球首例，并成功切入AI數據中心與電動汽車等新興市場。納微半導體全面的產品組合使我們能夠支持NVIDIA從電網到GPU的800V HVDC完整電力基建。衷心感謝NVIDIA對我們技術實力與推動數據中心供電革新的認可。”
充電頭網總結
英偉達與納微半導體合作開發的800V HVDC架構，采用先進GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術，助力數據中心高效供電，顯著提升端到端能效，降低冷卻壓力和維護頻次，最終降低數據中心整體運營成本。
納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast™氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC™碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral®認證的半導體公司。
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