如今，人們對(duì)快速充電的需求與日俱增，快充技術(shù)的發(fā)展刻不容緩。然而，目前市面上存在著多種快充協(xié)議和技術(shù)方案，用戶在實(shí)際使用中有時(shí)會(huì)出現(xiàn)不同品牌充電設(shè)備協(xié)議不兼容的情況。這也是不少用戶希望可以改進(jìn)的方面。

在這種情形下，由中國信息通信研究院、華為、OPPO、vivo、小米及國內(nèi)手機(jī)廠商牽頭發(fā)起，聯(lián)合國內(nèi)終端整機(jī)、充電芯片、儀表儀器、充電器、配件等終端快充產(chǎn)業(yè)鏈各方共同籌建的廣東省終端快充行業(yè)協(xié)會(huì)應(yīng)運(yùn)而生。

自成立以來，作為全國首家電子消費(fèi)類快充行業(yè)協(xié)會(huì)，廣東省終端快充行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)同和整合產(chǎn)業(yè)資源，加速新技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用和推廣。這對(duì)于構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈利益共同體，打造終端快充研發(fā)、制造、評(píng)測(cè)產(chǎn)業(yè)基地，帶動(dòng)核心電子元器件、高端通用芯片、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料等領(lǐng)域發(fā)展，努力建設(shè)世界級(jí)的終端快充創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群，具有至關(guān)重要的意義。

關(guān)于第三代半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體是一種常溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制 ，更適用于制造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件，在快充技術(shù)領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表材料，技術(shù)較為成熟、應(yīng)用較多的主要是氮化鎵和碳化硅。

目前，國內(nèi)華為、OPPO、vivo、小米等多家企業(yè)在研制快充類產(chǎn)品時(shí)都優(yōu)先選用第三代半導(dǎo)體材料。目的在于盡可能地提升充電效率，推動(dòng)快速充電常態(tài)化，進(jìn)而提高用戶的充電體驗(yàn)感。而隨著新需求的不斷興起和材料本身的強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額會(huì)逐步提高。與之而來的，第三代半導(dǎo)體在快速充電行業(yè)中所占分量也將日益增加。

氮化鎵（GaN）

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）具備通電阻小、損耗低、功率密度大、能量轉(zhuǎn)化效率高及體積小等優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了設(shè)備體積和性能的優(yōu)化，是實(shí)現(xiàn)快充突破的關(guān)鍵，將成為快充技術(shù)升級(jí)的重要方向。而對(duì)于用戶來說，它能夠帶來的是一種更方便、更舒適的充電體驗(yàn)。

氮（Nitrogen）化學(xué)元素符號(hào)為N，原子序數(shù)7。鎵（Gallium）化學(xué)元素符號(hào)為Ga，原子序數(shù)31，因此將每年的7月31日定為世界氮化鎵日。

碳化硅（SiC）

作為第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅（SiC）具有更大的介電擊穿強(qiáng)度、更快的飽和電子漂移速度、更電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景。因此，當(dāng)用于半導(dǎo)體器件中時(shí)，碳化硅器件擁有高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸。這些特性對(duì)于快充產(chǎn)品來說是極為重要的，將推動(dòng)快充技術(shù)的發(fā)展提升至更高的境界。

碳（Carbon）化學(xué)元素符號(hào)為C，原子序數(shù)6。硅（Silicon）化學(xué)元素符號(hào)為Si，原子序數(shù)14，因此將每年的6月14日定為世界碳化硅日。

已加入?yún)f(xié)會(huì)成員

如今，已有七家第三代半導(dǎo)體企業(yè)加入終端快充行業(yè)協(xié)會(huì)，相信能這些企業(yè)定能與終端快充行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)同合作，共同進(jìn)步，積極推動(dòng)快充行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，為終端消費(fèi)者帶來極致的充電體驗(yàn)。

下面，我們來了解一下這些成員吧。

高級(jí)會(huì)員

目前已經(jīng)加入?yún)f(xié)會(huì)的第三代半導(dǎo)體企業(yè)中，高級(jí)會(huì)員共兩個(gè)，分別是：GaNext鎵未來（珠海鎵未來科技有限公司）、Yuhongjinchip譽(yù)鴻錦（江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司）。

GaNext鎵未來（珠海鎵未來科技有限公司）

珠海鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來科技”）成立于2020年10月，公司致力于第三代半導(dǎo)體GaN-on-Si器件的技術(shù)研究創(chuàng)新和行業(yè)發(fā)展領(lǐng)先。依托高起點(diǎn)、強(qiáng)隊(duì)伍等，實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)的國產(chǎn)化，推動(dòng)GaN器件技術(shù)的世界領(lǐng)先，通過電源系統(tǒng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)能源的綠色、高效利用。

公司總部位于國家開放創(chuàng)新的最前沿——粵澳深度合作區(qū)的ICC國際商務(wù)中心，擁有2000㎡的總部辦公空間，集成了氮化鎵芯片開發(fā)、封裝開發(fā)、芯片測(cè)試實(shí)驗(yàn)室、可靠性實(shí)驗(yàn)中心、失效分析、數(shù)據(jù)中心等研發(fā)功能，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品端到端的交付。

公司在深圳新一代產(chǎn)業(yè)園設(shè)置應(yīng)用研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，具備電源系統(tǒng)仿真、磁設(shè)計(jì)、系統(tǒng)調(diào)試EMI測(cè)試等完整的電源系統(tǒng)研發(fā)驗(yàn)證功能，擁有20余位資深應(yīng)用工程師，具備30瓦到萬瓦級(jí)高功率密度電源解決方案、功率器件損耗分析及系統(tǒng)優(yōu)化能力。

公司所指定的6寸芯片制造工廠合作商，擁有多年氮化鎵生產(chǎn)的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，其目前已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)， 產(chǎn)品良率達(dá)95%，失效率低于20ppm，同時(shí)工廠已經(jīng)通過IATF16949的認(rèn)證，符合車規(guī)器件的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)， 為GaN器件在電動(dòng)汽車的應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

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Yuhongjinchip譽(yù)鴻錦（江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司）

江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司成立于2021年1月，位于江西省撫州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，是一家主要從事高品質(zhì)氮化鎵電子材料和高端光電材料MOCVD外延生長及器件流片、封裝測(cè)試、模組的研發(fā)、生產(chǎn)制造的高科技創(chuàng)新型企業(yè)。

主要的產(chǎn)品包括肖特基二極管、HEMT晶體管、UVC-LED、激光器、功率放大器等。這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心及5G通訊領(lǐng)域。公司的關(guān)鍵工藝設(shè)備、儀器以進(jìn)口設(shè)備為主，已具備4-6英寸兼容的氮化鎵電子材料的外延生產(chǎn)、器件流片及芯片封測(cè)能力。

公司現(xiàn)有員工100余人，其中博士15人、碩士9人、本科以上學(xué)歷占比70%，技術(shù)研發(fā)人員占比83%。公司的團(tuán)隊(duì)成員均為該領(lǐng)域內(nèi)在國內(nèi)、國際上具有影響力的專家組成，技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)主要來自臺(tái)灣和日本。

江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司將致力于實(shí)現(xiàn)氮化鎵電子器件和高端光電器件領(lǐng)域的“中國智造”！

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普通會(huì)員

目前已經(jīng)加入?yún)f(xié)會(huì)的第三代半導(dǎo)體企業(yè)中，普通會(huì)員共五個(gè)，分別是：ARKmicro方舟微（成都方舟微電子有限公司）、Ascendsemi安森德（西安安森德半導(dǎo)體有限公司）、BASiC基本（深圳基本半導(dǎo)體有限公司）、Innoscience英諾賽科（英諾賽科（深圳）半導(dǎo)體有限公司）、Tagore泰高（深圳市泰高技術(shù)有限公司）。

ARKmicro方舟微（成都方舟微電子有限公司）

ARK成都方舟微電子有限公司（以下簡稱：方舟微），于2008年成立，專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，并提供電源管理、電路保護(hù)解決方案，是國內(nèi)唯一專注耗盡型MOSFET設(shè)計(jì)的公司。產(chǎn)品大量用于充電器、LED、工業(yè)控制、電動(dòng)汽車、通信電路、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，廣受客戶青睞。

方舟微產(chǎn)品包括消費(fèi)類和工業(yè)類兩條產(chǎn)品線，用于充電器、LED等消費(fèi)電子產(chǎn)品的DMZ6005E、 DMZ1015E、DMZ1315E、DMZ1521E等系列產(chǎn)品，專為3.1快充定制開發(fā)，為大功率、寬電壓輸出的快充提供PWM IC 、同步整流IC供電并具有電路啟動(dòng)功能；20V、30V、60V、100V、150V、200V、350V全系列增強(qiáng)型MOSFET高性能對(duì)標(biāo)AOS同類產(chǎn)品，海外生產(chǎn)，品質(zhì)更高、價(jià)格更優(yōu)、供貨更有保證。方舟微目前已與PI、ON、IWATT、立锜、昂寶、康源、華源智信、硅動(dòng)力等設(shè)計(jì)公司有深入合作，是華為、榮耀、三星、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK等客戶的長期供應(yīng)商。

方舟微用于工控、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的DMX1072/DMS1072、DMX4022E/DMS4022E、DMZ1511E、DMD4523D等系列產(chǎn)品，一顆器件即能實(shí)現(xiàn)安全的瞬態(tài)浪涌抑制、過壓過流保護(hù)應(yīng)用，器件性能完全達(dá)到甚至超過國外同類產(chǎn)品。目前與TE、上汽、一汽、南京科遠(yuǎn)、正崴精密、中電集團(tuán)等有廣泛合作。

方舟微產(chǎn)品僅DMZ6005E一顆產(chǎn)品目前已出貨5億只，以高品質(zhì)、高性能、低成本對(duì)標(biāo)國外同類產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，被國內(nèi)外客戶的認(rèn)可并廣泛采用。

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Ascendsemi安森德（深圳安森德半導(dǎo)體有限公司）

安森德半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“安森德")是一家專注于高性能、高品質(zhì)模擬集成電路研發(fā)和銷售的半導(dǎo)體公司。

安森德的技術(shù)團(tuán)隊(duì)由在歐美頂尖半導(dǎo)體公司工作過的資深專家組成,擁有先進(jìn)的模擬集成電路設(shè)計(jì)、工藝、生產(chǎn)、測(cè)試及可靠性技術(shù)和豐富的質(zhì)量管理經(jīng)驗(yàn)。

安森德的通用模擬IC產(chǎn)品性能優(yōu)良、品質(zhì)卓越,可廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、PAD、數(shù)字電視、DVD、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、可穿戴式設(shè)備、舞臺(tái)音響、調(diào)音臺(tái)設(shè)備、各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及車載電子、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、測(cè)試儀表等眾多領(lǐng)域。

未來,安森德將以市場(chǎng)為導(dǎo)向、以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)、以服務(wù)客戶為目標(biāo)，堅(jiān)持自主創(chuàng)新，不斷開發(fā)更高性能的模擬集成電路技術(shù),推出在性能、功耗、可靠性等方面具有國際領(lǐng)先水平，在品質(zhì)、性價(jià)比、技術(shù)支持等方面具備較強(qiáng)國際競爭力及良好產(chǎn)業(yè)化前景的新一代模擬IC產(chǎn)品，努力成為世界模擬芯片行業(yè)的翹楚。

BASiC基本（深圳基本半導(dǎo)體有限公司）

深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、南京、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員包括二十余位來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)、德國亞琛工業(yè)大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士。

基本半導(dǎo)體掌握領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，累計(jì)獲得兩百余項(xiàng)專利授權(quán)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級(jí)碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，服務(wù)于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體承擔(dān)了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項(xiàng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心，榮獲中國專利優(yōu)秀獎(jiǎng)、深圳市專利獎(jiǎng)、2020“科創(chuàng)中國”新銳企業(yè)、“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)、中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽一等獎(jiǎng)等榮譽(yù)。

Innoscience英諾賽科（英諾賽科（深圳）半導(dǎo)體有限公司）

英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。

英諾賽科設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）面向各種應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件，重點(diǎn)聚焦消費(fèi)類電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及新能源與儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域。擁有大規(guī)模量產(chǎn)能力、采用8英寸先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，能夠在產(chǎn)能、器件性能、可靠性、工藝穩(wěn)定性及價(jià)格合理性上具備顯著的競爭優(yōu)勢(shì)。同時(shí)也將持續(xù)與眾多客戶和合作伙伴攜手致力于氮化鎵技術(shù)相關(guān)系統(tǒng)和解決方案的開發(fā)。

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Tagore泰高（深圳市泰高技術(shù)有限公司）

深圳市泰高技術(shù)有限公司主要從事基于第三代半導(dǎo)體 硅（Si）基氮化鎵 及 碳化硅（SiC）基氮化鎵技術(shù)的集成電路研發(fā)和銷售，所研發(fā)的氮化鎵芯片已經(jīng)被超過 60 家歐美國際大公司及30家國內(nèi)大公司的采用。

泰高技術(shù)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)源于德國公司英飛凌, 其芯片設(shè)計(jì)中心位于美國芝加哥（Chicago），另外在印度設(shè)有研發(fā)分部，全球研發(fā)人員有 50 位以上， 其中超過 80% 研發(fā)人員擁有博士學(xué)歷。研發(fā)團(tuán)隊(duì)的背景主要在射頻氮化鎵領(lǐng)域深耕超過 10 余年，具有卓越的芯片設(shè)計(jì)能力，現(xiàn)有產(chǎn)品包括 RF 射頻開關(guān)、 射頻高功率放大器、電源功率芯片 和 射頻低噪聲放大器等四大產(chǎn)品系列，全部具有國際領(lǐng)先水平。

“泰高, 讓設(shè)計(jì)變簡單”是我們理想，實(shí)現(xiàn)這個(gè)理想得益于他們通過精巧的布局，使得工程師更加便捷設(shè)計(jì)，為產(chǎn)品更高效、更小、更可靠的全新解決方案帶來更多可能。

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總結(jié)

統(tǒng)一快充標(biāo)準(zhǔn)的建立，不僅能提升充電設(shè)備的兼容性，為消費(fèi)者帶來更好的使用體驗(yàn)，促進(jìn)行業(yè)綠色低碳發(fā)展。而且將帶動(dòng)國內(nèi)快充產(chǎn)業(yè)鏈上下游的整合，形成產(chǎn)業(yè)發(fā)展新生態(tài)，實(shí)現(xiàn)中國快充技術(shù)在全球標(biāo)準(zhǔn)的引領(lǐng)。

相信未來將會(huì)有更多的第三代半導(dǎo)體企業(yè)加入進(jìn)來，共同推動(dòng)建立兼容、統(tǒng)一的快充標(biāo)準(zhǔn)。

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文章來源：終端快充行業(yè)協(xié)會(huì)