2022年8月16日，2022（夏季）亞洲充電展在深圳成功舉辦，展會同期還舉辦了2022（夏季）USB PD&Type-C亞洲大會，并邀請了17位行業大咖現場與大家探討USB PD&Type-C的應用與未來發展，為大家分享最新的第三代半導體技術以及高效率快充電源解決方案。

晶豐明源半導體 AC-DC事業部、快充產品技術市場經理 沈鴻云發表了《晶豐明源USB-PD產品介紹》為主題的演講，演講主要內容為晶豐明源新推出的一系列快充產品，并對晶豐明源公司進行了介紹。

晶豐明源于2008年成立于上海，是首家科創板上市的電源管理類芯片設計公司（股票代碼：688368）。總部位于上海，在杭州、成都、南京和深圳設有研發中心，在蘇州、廈門、中山、青島等地設有銷售和技術支持中心。晶豐明源是LED照明驅動IC細分市場龍頭，市場占有率全球領先。近年來公司積極拓展業務，全面布局中高端芯片市場。

針對快充應用，晶豐明源推出了基于光耦反饋的快充產品和磁耦通信的快充產品，其中光耦反饋的初級芯片內置650V耐壓的MOS管，內部集成高壓啟動，待機功耗小于75mW，滿足六級能耗要求。支持CCM和DCM工作模式，能夠在低壓和高壓均保持較高的效率，支持18~25W快充應用。芯片內置過載保護和恒功率保護。

晶豐明源還推出了內置IGBT結構復合功率開關管的BP87112，支持全電壓輸入下20W功率，支持恒功率輸出，支持輸出電壓過壓和欠壓保護功能，支持過溫降功率，支持CCM和DCM工作模式，具有超高的性價比。

同時晶豐明源還推出了適配兩款初級芯片應用的BP62110系列同步整流控制器，采用SOT23封裝，超小體積。芯片具備10nS超短關斷延遲，VD腳具有120V高耐壓優勢，可以通過Slew腳斜率檢測調整，防止誤導通。支持CCM&DCM和QR工作模式，滿足快充充電器應用。

同時基于BP62110同步整流控制器，晶豐明源還推出了三款內置同步整流管的同步整流芯片，分別為BP6211B/C/M，BP6211B和BP6211C內置60V耐壓同步整流管，BP6211M內置100V耐壓同步整流管，支持正端和負端應用。通過使用BP87112和BP6211B兩顆高集成芯片，搭配協議芯片，可以實現超高性價比的QC3.0快充適配器應用。

晶豐明源在本次展會上重點介紹了新推出的磁耦通信的快充產品，磁耦通訊具有速度快，低功耗，高可靠性，壽命長等諸多優勢，適合高可靠性和高效率開關電源應用，避免光耦老化帶來的電壓漂移。

晶豐明源磁耦BP818圖片特寫，與光耦外觀相同。

晶豐明源BP87422是一顆低頻磁耦的初級主控芯片，內置IGBT結構的復合開關管，支持高壓直驅，無需輔助供電，無VCC電容，待機功耗小于75mW，實測230Vac待機功耗小于50mW，滿足六級能效，外圍精簡，具有超高性價比。

晶豐明源專利的磁耦通訊反饋元件BP818，與光耦外觀相同，已經通過了全球安規認證。BP432B是一顆副邊磁耦反饋控制器，芯片內部集成恒壓控制和磁耦發射單元，芯片采用ACOT控制算法，具有超快速的動態響應。BP432B采用SOT23-6封裝，整體方案滿足20W超高性價比應用。

晶豐明源推出的BP87516是一顆內置高壓MOS的初級主控芯片，使用輔助繞組供電可以將待機功耗降低到10mW以下，實測230Vac輸入時，待機功耗僅為8mW。并采用ESOP-10封裝加強散熱。與之搭配的BP432B支持精確的輸出過壓和欠壓保護，并內置輸出過壓放電功能，適合35W以內PD快充應用。

在展會上，晶豐明源還帶來了一款高頻磁耦方案，原邊控制器集成高壓啟動和X電容放電功能，并集成了GaN和MOSFET驅動器，支持140KHz工作頻率，內置超寬Vcc電壓供電模塊，副邊控制器采用QFN4*4封裝，內部集成同步整流控制器，支持恒壓恒流和恒功率輸出，恒壓精度達到10mV，恒流精度達到20mA。副邊芯片支持I2C通信，可通過I2C接口進行電壓電流調整，并可以實現副邊控制器工作狀態實時測量和播報。

原邊控制器支持輸入過壓和欠壓保護，并且支持Vcc供電的過壓和欠壓保護，集成電流取樣電阻開路和短路保護，集成LPS限流保護，降低系統的整體成本。芯片內部還集成過溫保護，集成磁耦通訊模塊開路和短路保護。

副邊控制器支持精確的過壓和欠壓保護，內置同步整流管短路保護，具備I2C通訊異常保護，內置過溫保護功能，支持外置NTC過溫保護，支持溫度上報，并集成輸出短路保護和VBUS MOS前后電容的放電功能。

副邊的控制器內部還集成了強大的寄存器，支持輸出電壓設定，輸出過壓保護點設定，支持輸出欠壓保護設定，支持10mV/Step調整精度。恒流值設定和恒功率拐點設定也支持I2C設定，支持I2C讀取工作狀態。

晶豐明源展出了一款33W的PD快充應用實例，這款方案支持85~264Vac輸入，輸出支持5V3A，9V3A，15V2A，20V1.5A，支持PPS3.3~11V3A輸出。方案采用BP87526+BP62610+BP818芯片方案。在90Vac輸入時，滿載效率高于90%。

這款33W快充方案采用兩塊PCB焊接組成，協議芯片和磁耦控制芯片焊接在垂直小板上。

PCB背面焊接整流橋，初級主控芯片，磁耦和同步整流管。

另外一款是晶豐明源推出的65W快充應用方案，這款方案支持85~264Vac輸入，輸出支持5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A，支持PPS3.3~11V6A輸出。這款方案支持10mV/Step精度的電壓調整，并支持20mA/Step的高精度電流調整。

PCBA使用兩塊PCB焊接組成，變壓器包裹膠帶絕緣，空間利用率高，體積小巧。

方案側面的小板焊接協議芯片和輸出接口以及整流橋。

底部小板焊接初級芯片和同步整流管。

BP87618是一顆內置氮化鎵的合封芯片，采用ESOP-10封裝，空載待機功耗在全電壓范圍內小于30mW，65W輸出下，230Vac輸入轉換效率達到94.3%，在115Vac輸入時轉換效率達到93.9%，適合小體積快充應用。

晶豐明源已經推出了包括光耦反饋的低頻CCM/DCM方案，支持18~25W輸出功率。磁耦反饋包括低頻和高頻兩種，其中低頻磁耦反饋的方案可以支持20~35W應用，工作頻率為65KHz。高頻磁耦方面包括內置MOS的BP87526+BP62610方案，支持30~35W功率，內置GaN的BP87616+BP62610的30~35W方案，以及BP87618+BP62610的65W方案，還有BP87610磁耦控制器，直驅GaN，可支持65W以上功率。

充電頭網總結

在本次亞洲充電展上，晶豐明源展出了多款USB PD快充方案，根據不同功率具有多種選擇，具有超低待機功耗和外圍精簡的優勢，能夠滿足不同功率段快充適配器應用。晶豐明源發揮自身優勢，專注于芯片設計，實現了效率與成本的優化。

磁耦反饋引入到快充電源，可以實現更快速，更可靠以及更低待機功耗的電源設計，搭配晶豐明源新推出的合封氮化鎵芯片以及高集成電源芯片，可以輕松的實現低待機功耗，高可靠性的電源設計。芯片組具備豐富的保護功能，能夠滿足廠商對于高效率，高性能，小體積的追求，同時極具成本優勢。