前言

近日，Apple Store上架了兩款 mophie 出品的氮化鎵充電器，型號(hào)分別為 Speedport 30 和 Speedport 67，輸出功率分別為30W和67W，兩款充電器均采用單USB-C口設(shè)計(jì)，且均附贈(zèng)一根 2米 C to C 線纜。

mophie Speedport 30 相比蘋(píng)果公司經(jīng)典的5W“小方塊”充電器，尺寸略微增加，功率大幅提升至30W；而 mophie Speedport 67 相比蘋(píng)果67W適配器，在輸出功率相同的情況下，體積大幅縮小，完美搭配蘋(píng)果各種設(shè)備的充電功率規(guī)格。

英諾賽科InnoGaN介紹

充電頭網(wǎng)獲悉，mophie Speedport 30 和 Speedport 67 兩款氮化鎵充電器均采用英諾賽科GaN功率器件，Speedport 30 內(nèi)置英諾賽科 INN650DA04，Speedport 67 內(nèi)置英諾賽科INN650D02。下面充電頭網(wǎng)為大家介紹這兩款英諾賽科GaN功率器件的特色亮點(diǎn)。

英諾賽科 INN650DA04 采用 DFN5*6mm 封裝，耐壓650V，導(dǎo)阻480mΩ（max），具備高頻高效、極低損耗、快速主動(dòng)散熱等特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)小體積、高效率的充電器設(shè)計(jì)。

充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解了解到，英諾賽科 INN650DA04 此前已獲努比亞、黑鯊、綠聯(lián)、網(wǎng)易、REMAX、TEGIC、圖拉斯、鵬元晟、古石等品牌的眾多氮化鎵充電器產(chǎn)品采用，品質(zhì)獲市場(chǎng)高度認(rèn)可。

英諾賽科 INN650D02 采用 DFN8*8mm 封裝，耐壓650V，瞬態(tài)耐壓達(dá)750V，導(dǎo)阻200mΩ。支持超高頻開(kāi)關(guān)，具有無(wú)反向恢復(fù)電荷，低柵極電荷和低輸出電荷等優(yōu)點(diǎn)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求，適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換、圖騰柱PFC、電池快充、高能效高功率密度功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解了解到，英諾賽科 INN650D02 此前已被聯(lián)想、努比亞、魅族、中興、紅魔、諾基亞、海康威視、品勝、REMAX、羽博等品牌的眾多產(chǎn)品采用，品質(zhì)獲市場(chǎng)高度認(rèn)可。

據(jù)了解，英諾賽科 INN650D02目前已升級(jí)為 INN650D260A，額定耐壓為650V，峰值耐壓達(dá)750V，導(dǎo)阻260mΩ。符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求，支持ESD保護(hù)，支持開(kāi)爾文源極。最高工作溫度150℃。

充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解了解到，英諾賽科 INN650D260A 此前已被綠聯(lián)65W智充魔盒2C2A氮化鎵快充插座、尚巡230W氮化鎵充電器、努比亞120W 3C1A氘鋒氮化鎵充電器等產(chǎn)品采用，獲得客戶認(rèn)可。

英諾賽科 INN650DA04、INN650D02、INN650D260A 采用的 DFN 封裝，相比傳統(tǒng)TO220封裝，寄生電感呈指數(shù)級(jí)減小，可以支持更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的工作頻率，同時(shí)占板面積非常小。有利于高功率密度快充設(shè)計(jì)。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

mophie 兩款氮化鎵充電器目前已在海外 Apple Store 和 mophie 自營(yíng)的 Zagg 零售網(wǎng)站獨(dú)家銷(xiāo)售，Speedport 30 售價(jià)為44.95美元，Speedport 67 售價(jià)為69.95美元。而 Speedport 30也在中國(guó)大陸地區(qū) Apple Store 同步上架銷(xiāo)售，售價(jià)為328元。

此次采用英諾賽科 InnoGaN 產(chǎn)品的兩款氮化鎵充電器上架 Apple Store，不僅標(biāo)志著英諾賽科氮化鎵功率器件打入蘋(píng)果合作伙伴 mophie 供應(yīng)鏈， 同時(shí)表明英諾賽科氮化鎵功率器件品質(zhì)滿足蘋(píng)果的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。

在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大時(shí)代背景下，借助USB PD普及的東風(fēng)，英諾賽科InnoGaN系列產(chǎn)品在消費(fèi)類電源大放異彩，為客戶推出先進(jìn)的氮化鎵解決方案，并與合作伙伴共同推出優(yōu)秀的氮化鎵應(yīng)用方案，助力第三代半導(dǎo)體器件普及。

作為一家全球領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科自建有技術(shù)領(lǐng)先的8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件量產(chǎn)線，涵蓋40V到650V全電壓產(chǎn)品；其蘇州生產(chǎn)基地于去年6月通線投產(chǎn)，規(guī)劃滿產(chǎn)能每月可達(dá)65000片8英寸硅基氮化鎵晶圓。當(dāng)前蘇州與珠海月產(chǎn)能已達(dá)10000片，供貨穩(wěn)定，截至2022年上半年，英諾賽科GaN芯片出貨量已突破8000萬(wàn)顆。