前言

2022年7月12日，科技潮牌真我 realme 舉行新品發布會，正式推出了真我 GT2 大師探索版，新機傳承大師系列設計理念和探索精神，帶來全新的硬箱傳奇設計。

真我 GT2 大師探索版搭載新一代驍龍8+旗艦芯片，搭配真我首發的 LPDDR5X 閃存芯片和新一代 X7 獨顯芯片，帶來設計、性能、游戲、體驗等全方位的升級，堪稱“年度質感旗艦”。

三大巔峰探索 打造年度質感旗艦

據 realme 副總裁徐起介紹，真我 GT2 大師探索版與國際著名潮流設計師 Jae Jung，首次跨界合作，將當代戶外美學概念融入產品設計，精心打磨出 realme 年度質感旗艦，打造顏值巔峰。

真我 GT2 大師探索版搭載新一代驍龍8+旗艦芯片，同時真我首發 LPDDR5X 超低功耗內存，綜合功耗優化20%，加上雙VC冰芯散熱Max，探索性能巔峰。

同時，真我 GT2 大師探索版全球首發新一代X7獨顯芯片，支持獨顯級游戲超分功能、最高120幀的多倍插幀技術，時延降低至最低10ms，帶來高幀率、高畫質、低時延、低功耗的超流暢游戲體驗。

全球首發 全鏈路GaN百瓦閃充

真我 GT2 大師探索版是行業首個輕薄的百瓦大電池手機，在8.17mm極致輕薄的機身下配置100W光速秒充和5000毫安大電池，使得快充、輕薄和長續航三者兼備，25分鐘時間即可充電至100%，徹底緩解續航焦慮。

據 realme 副總裁徐起介紹，“真我 GT2 大師探索版是全球首個內置 GaN 充電保護的手機，創新性地將氮化鎵引入手機端，大大節省手機內部空間，降低發熱峰值，實現了體積降低64%，峰值功率器件發熱降低85%。保證手機在充電過程中更高效，更安全。”

據悉，realme 此次在手機端引入的氮化鎵為英諾賽科的 Bi-GaN 產品，其原理在于利用一顆 Bi-GaN 就能替代之前的共漏連接的背靠背兩顆 NMOS，實現電池的充電和放電電流的雙向開關，使相同占板面積下的導通電阻降低50%，溫升降低40%，提高手機內部空間利用率。

此前，realme 副總裁徐起也在微博的先導宣傳中稱，在閃充技術的推進上，realme 不介意再"卷"一點！

充電頭網總結

此次發布的真我 GT2 大師探索版，通過采用英諾賽科 Bi-GaN技術，進一步壓縮手機內部充電元器件空間，提升充電效率，降低充電過程中的發熱情況，實現全鏈路GaN百瓦秒充。在全球提倡節能環保、助力“雙碳”的今天，氮化鎵已經在快充、手機充電保護、激光雷達等領域相繼應用，相信憑借其高頻高效、高功率密度的優越特性，勢必在更多領域領跑市場，值得期待！