前言

氮化鎵是下一代功率半導體技術，運行速度比傳統硅快20倍，和傳統硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實現3倍功率或3倍的充電速度。納微半導體下一代GaNSense技術集成了對系統參數的實時、準確和快速感應，包括電流和溫度的感知，實現自主保護，和無損耗電流感應能力，實現了輕便小巧，快速，更高的功率。

NV6169閃亮登場

氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體于5月10日正式發布了NV6169，這是一款采用 GaNSense技術的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器、下一代游戲電競系統、500 W 太陽能微型逆變器、1.2 kW 數據中心 SMPS 和4 kW電機驅動。

NV6169是最先進的納微第三代氮化鎵平臺中額定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率芯片具有行業首創，無損電流感應和最快的短路保護，實現“檢測到保護”的速度僅為30ns，比分立解決方案快6倍。在電機驅動應用中，與IGBT相比，氮化鎵功率芯片可節省高達40%的能源，消除30個外部組件，并將系統效率提高8%。

45mΩ的NV6169采用行業標準的、輕薄、低電感、8 x 8 mm PQFN 封裝，導通電阻降低36%，功率提高50%，用于高效率、高密度的電力系統。與競爭解決方案不同，NV6169額定工作電壓為650V，額定峰值額定電壓為800V，可在瞬態事件期間穩定工作。作為真正的集成功率芯片，GaN柵極受到全面保護，整個器件的額定靜電放電(ESD)規格為業界領先的2kV。

納微半導體首席運營官，首席技術官兼聯合創始人 Dan Kinzer 指出：“超過五千萬顆納微氮化鎵功率芯片已交付給包括三星、戴爾、聯想和小米在內的各級客戶，與氮化鎵GaN相關的終端市場故障報告為零，GaNSense技術能夠實時、準確地檢測電壓、電流和溫度，從而進一步提高整體系統性能。”

Dan Kinzer還指出：“未受保護的‘分立’式氮化鎵或硅功率芯片無法與納微半導體的性能和可靠性相媲美，通過提供NV6169，我們將業務范圍擴展到數據中心、太陽能和電動汽車等高功率應用，同時憑借前所未有的20年有限質保承諾，以加速氮化鎵在性能要求更高的系統中的采用”。

NV6169可在簽訂NDA后立即提供給客戶，批量生產的交貨時間目前為 6 至 16 周。設計人員可以使用仿真模型 (PSPICE/LTSPICE/SiMetrix) 、3D 封裝模型 (STP) 和應用說明 (AN-0016)  來優化下一代系統。

充電頭網總結

作為全球領先的氮化鎵功率器件設計公司，Navitas納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）擁有強大且不斷增長的功率半導體行業專家團隊，在材料、器件、應用程序、系統和營銷及創新成功記錄的領域內，積累了豐富的經驗，其多位創始人的專利也累計超過了300項。

目前，納微的GaNFast氮化鎵功率芯片已經出貨超過四千萬顆，這離不開納微團隊的堅持努力和聯合開發。納微在深圳、杭州和上海有三支強大的AE團隊，從客戶需求定制開始，原理圖繪制、布板、調試、試產、量產、納微都提供全程的服務。納微還和平面變壓器、磁芯、控制器廠家合作，根據客戶的需求進行聯合設計開發。