銳駿研發(fā)改進的新一代溝槽工藝MOSFET，具有很低的結電容CGD以及Crss。改善功率密度高的25-30W充電器及適配器效率與溫度問題。 銳駿新一代溝槽MOSFET，具有超低導通阻抗;超低結電容; 更高開關頻率等優(yōu)點，廣泛應用各種同步整流方案中。 銳駿shilding gate 工藝在Gate極和Drain極插入了屏蔽層，因此，VDS的Dv/Dt的任何振幅，都不影響VGS。電壓變壓由電流變化引起，由Gate端的電壓平緩可推理，與Gate端同一水平面的P區(qū)的耗盡電荷數(shù)非常低，與Super junction MOS不同的是，銳駿Shilding Gate工藝的注入濃度使這種快速移動的多數(shù)載流子變化處于適中水平，不存在高輻射的影響 。 目前同步整流IC的技術日趨成熟，但是在PCB布線時必須使DS兩端的走線盡量短，同步檢測越精準，對干擾的要求越高。RUH60100M的D,S之間極低的耗盡電荷，使得Crss非常小，那么MOSFET在關斷和導通的瞬態(tài)響應，D，S的震蕩幅度都非常小，這一點可以從上圖GS的電壓低幅震蕩上推導出來。因此，新工藝的RUH60100M會大大提高同步整流的穩(wěn)定性，特別是輸出大電流和CCM模式下高功率的同步整流。 RUH60100M特性總結： 1. 效率高，溫度低以及溫度特性平緩 2. 提高大電流的同步整流的穩(wěn)定性，無論是DCM、CCM模式，對變壓器漏感數(shù)值要求降低。 3.可高頻率工作和大電流短路沖擊。