氮化鎵功率器件憑借高頻、高效的特性，解決了傳統硅MOS的痛點，因而在快充市場中得到廣泛應用。不過隨著氮化鎵技術日漸成熟，市場用量越來越大，成本也就成為了大家關注的問題。對此，目前業內已有多家芯片原廠通過推出合封氮化鎵芯片的形式，來降低新晉電源廠商的準入門檻，從而實現成本優化。

充電頭網近日獲悉，力生美半導體針對30W-45W快充應用，推出了合封氮化鎵芯片LN9T28xF系列。通過合封氮化鎵的高集成設計，簡化實際應用過程中的初級電路，讓氮化鎵快充的研發變得與傳統硅快充一樣簡單。此外還減少了初級側的外圍器件數量，從而降低成本。

力生美LN9T28EF是一款針對高密度、高性能的快充電源合封氮化鎵芯片，最高工作頻率130kHz，可用于30W迷你氮化鎵快充電源設計，協助電源廠商輕松構建低待機功耗、低成本、高性能的解決方案，以滿足應用中的 CoC V5 和 DoE VI 能效。

力生美LN9T28EF芯片PWM開關頻率由芯片內部設定，具有全溫度補償，最大值設置為 130kHz。在空載或輕載條件下，集成電路可工作于智能中斷模式，以降低開關損耗，從而在具有較低待機功耗的同時實現良好的轉換效率。

低 VDD 啟動電流和工作電流使 LN9T28xF 具有非常高的可靠性和使用壽命?？梢允褂米柚递^大的電阻來完成電路的啟動，這樣也降低了啟動電阻的損耗，進一步降低了系統待機功耗。LN9T28xF 還提供了一個非常全面的自動恢復保護電路，包括逐周期電流限制 (0CP)、具有高低壓補償的輸出過載保護 (OLP)、VDD 過壓鉗位和欠壓鎖定 (UVLO) 。

此外充電頭網了解到，除了LN9T28EF之外，力生美還擁有功率頻率為65kHz的30W合封氮化鎵芯片，以及工作頻率分別為130kHz和65kHz的45W合封氮化鎵芯片LN9T28GH和LN9T28EH。為高密度氮化鎵快充設計提供了全新解決方案。

力生美合封氮化鎵芯片系列內置700V氮化鎵功率器件，采用準諧振工作模式，谷底開關提高效率，空載功耗低至50mW，芯片內置軟啟動控制電路，擴展的輕載控制可優化能效及待機功耗，全負載均無音頻噪聲。

同時，該系列芯片還具有寬范圍的供電，可簡化初級外圍電路，芯片內置完善的保護功能，ESOP8封裝具有加強的散熱性能，滿足電源適配器、電池充電器、快充充電器以及開放式開關電源等多種電源應用。

第三代半導體氮化鎵技術的成熟，催生了高密電源的大規模的普及。而消費類電源產品憑借迭代迅速的優勢，率先實現了氮化鎵技術的規模化商用，并獲得市場一致認可。對于小功率高密電快充電源而言，近年來衍生出的合封氮化鎵芯片無疑是理想選擇，既能減少PCB板面積，也有助于降低成本。

力生美半導體在電源管理芯片領域深耕十余年，擁有USB PD快充電源、手機充電器、電池充電器、開關電源適配器、家電電源、智能家居電源、IoT系統電源、電動工具電源等多種電源芯片解決方案產品線。本次針對30W-45W電源推出的合封氮化鎵芯片系列，一方面是對現有產品線的拓展和完善，同時也體現出力生美半導體緊跟時代步伐，積極布局第三代半導體產品線的能力。

如需了解更多電源芯片產品資訊，可以與力生美半導體原廠或者代理商取得聯系。